文章摘要: 硅片切割機(jī)也被稱為硅晶圓激光切割機(jī)和激光劃片機(jī),硅片切割機(jī)的工作原理是用高能激光束照射工件表層,使被照射區(qū)域部分熔化和汽化,從而實(shí)現(xiàn)硅材料的切割。主要用于金屬材料以及硅,鍺,砷化鎵和其他半導(dǎo)體襯底材料的劃線和切割。它可以加工太陽(yáng)能電池板,硅
硅片切割機(jī)也被稱為硅晶圓激光切割機(jī)和激光劃片機(jī),硅片切割機(jī)的工作原理是用高能激光束照射工件表層,使被照射區(qū)域部分熔化和汽化,從而實(shí)現(xiàn)硅材料的切割。主要用于金屬材料以及硅,鍺,砷化鎵和其他半導(dǎo)體襯底材料的劃線和切割。它可以加工太陽(yáng)能電池板,硅片,陶瓷片,鋁箔等。工件細(xì)膩美觀,切割邊緣光滑,可以大大提高加工效率,優(yōu)化加工效果,那么硅片切割具有哪些難點(diǎn)呢?
1.雜質(zhì)線痕:由多晶硅錠中的雜質(zhì)引起,在切片過程當(dāng)中不可完全去除雜質(zhì),從而在硅片上產(chǎn)生相關(guān)的雜質(zhì)線。
2.劃痕痕跡:由砂漿中較大的SIC顆?;蛏皾{結(jié)塊引起。在硅片切割切割過程當(dāng)中,SIC顆粒被“卡在”鋼絲和硅晶片之間,并且不會(huì)溢出,從而引起線條痕跡。表現(xiàn)形式:包括整條線標(biāo)記和半條線標(biāo)記,凹入的,有光澤的線標(biāo)記,比其他線標(biāo)記要窄。
3.密集的布線標(biāo)記(密集的線標(biāo)記):由于砂漿的碾磨能力不足或切片機(jī)的砂漿環(huán)系統(tǒng)出現(xiàn)問題,硅晶片上會(huì)出現(xiàn)密集的線標(biāo)記區(qū)域。
4.錯(cuò)位線痕:線痕是由諸如切片機(jī)的液壓夾緊裝置表層上的砂漿或托盤上的殘留膠水之類的異物引起的,從而造成液壓裝置和托盤無(wú)法被完全夾緊,并且托盤螺釘松動(dòng)。
在硅片切割整個(gè)切割過程當(dāng)中,對(duì)硅片質(zhì)量和成品率的主要影響是切割液的粘度,碳化硅粉的顆粒類型和大小,砂漿的粘度,砂漿的流速, 鋼絲的速度和鋼絲的張力。以及工件的進(jìn)給速度。
線標(biāo)記和TTV:線標(biāo)記和TTV是硅晶片加工中遇到的更頭痛的問題。有時(shí)會(huì)有一把刀,這是無(wú)法避免的。進(jìn)入切刀時(shí)會(huì)出現(xiàn)TTV,并且在縮回時(shí)很容易出現(xiàn)螺紋痕跡。
硅片切割具有哪些難點(diǎn)呢?
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