SMU數(shù)字源表搭建場效應(yīng)晶體管IV特性測試實驗平臺

本科生微電子器件及材料實驗?zāi)夸?br /> 實驗一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實驗
實驗二：四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
實驗三： MOS電容的CV特性測試實驗
實驗四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗
實驗五：激光二極管LD的LIV特性測試實驗
實驗六：太陽能電池的特性表征實驗

本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優(yōu)勢
滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實驗中微電子器件和材料測試需求
測試設(shè)備簡單易用，專業(yè)權(quán)威，方便學(xué)生動手操作
核心設(shè)備測試精度高，滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求
測試軟件功能齊全，平臺化設(shè)計，有專人維護(hù)支持，與專業(yè)測試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺為起點，可逐步升級，滿足日益增加的實驗室測試需求

本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能

實驗名稱

測試參數(shù)
金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管IV特性測試實驗

l 輸出特性曲線

l 轉(zhuǎn)移特性曲線

l 跨導(dǎo)gm

l 擊穿電壓BVDS

本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心
測試平臺的核心– 源測量單元（源表， SMU）

普賽斯國產(chǎn)源表五表合一 四象限模式
四線/開爾文測試功能
小信號測試
滿足先進(jìn)器件和材料測試需求

交流測試使用LCR表

探針臺：4寸或6寸手動探針臺