九寨溝原材料信息
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中山供應(yīng)硫酸鎂價格
無水的硫酸鎂是一種常用的化學(xué)試劑及干燥試劑。但是硫酸鎂常指七水硫酸鎂,因?yàn)樗蝗菀兹芙猓葻o水硫酸鎂更容易稱量,便于在工業(yè)中進(jìn)行的定量控制。臨界溫度(℃): 無意義七水硫酸鎂臨界壓力(MPa): 無意義 辛醇/水分配系數(shù)的對數(shù)值: 無資料 閃點(diǎn)(℃): 無意義硫酸9002022-03-22
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氯化銦 研發(fā)新一代動力電池
四水氯化銦,水合氯化銦,氯化銦 氯化銦可與氯化鋰等物質(zhì)反應(yīng),制備出鋰銦氯復(fù)合物。如將氯化鋰和氯化銦四水合物溶解在去離子水中,再在乙酸鋯上進(jìn)行原位自組裝,可制得固態(tài)無機(jī)電解質(zhì)膜。該膜中的鋰銦氯復(fù)合物能提供更多的鋰離子傳導(dǎo)路徑,從而提高電解質(zhì)膜的離子導(dǎo)電性。九寨溝面議2025-07-03 -
無水氯化鑭 合金材料
無水氯化鑭在合金材料領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,可用于制備金屬鑭進(jìn)而制造特種合金,還能作為合金添加劑改善合金性能等,具體如下: 制備特種合金:三氯化鑭是制備金屬鑭的重要原料。通過電解無水三氯化鑭的熔鹽體系,可以獲得高純度的金屬鑭。金屬鑭可用于制造特種合金,例如鋁鑭合金九寨溝面議2025-07-03 -
三氟化鑭 13709-38-1
三氟化鑭 13709-38-1 化學(xué)純指標(biāo) 氟化鑭 Lanthanum Fluoride 分子式:LaF3 分子量:195.9007 CAS.13709-38-1 三氟化鑭折射率和透明度好,可用于光學(xué)薄膜,如反射鏡、濾光片和分光鏡 外觀性狀:白色面心立方晶體粉末,密度5.936.熔點(diǎn)1493℃,沸點(diǎn)2330℃,不溶于水。在空九寨溝面議2025-07-03 -
紅外光學(xué)材料 氟化釔 上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料
別名:三氟化釔 外觀:白色粉末狀 分子式:YF3 氟化釔 中文名稱:氟化釔 分子式:YF3 分子量:145.90 CAS:13709-49-4 用途:用于制備稀土晶體激光材料,上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料、氟化物玻璃光導(dǎo)纖維和氟化物 三氟化釔在照明光源中用于制造弧光燈炭電九寨溝面議2025-07-03 -
氟化釔涂層致密性高
保護(hù)膜與隔離層 功能:保護(hù)光學(xué)元件表面(如金屬反射膜、半導(dǎo)體基底)免受環(huán)境侵蝕,同時維持光學(xué)性能穩(wěn)定。 特點(diǎn):氟化釔涂層致密性高,可阻隔水汽、灰塵等污染物,且自身透光性好,不影響基底的光學(xué)功能。 應(yīng)用: 鍍鋁反射鏡表面的保護(hù)層,防止鋁膜氧化; 太陽能電池九寨溝面議2025-07-03 -
氟化釔 光學(xué)涂層材料
三氟化釔 CAS號:13709-49-4 英文名:Yttrium Fluoride (也常寫作Yttrium(III) fluoride) EINECS號:237-257-5 增透膜(減反射涂層) 功能:降低光學(xué)元件表面的反射率,提高透光率。 原理:通過設(shè)計氟化釔與其他材料(如 MgF?、AlF?)的多層膜系,利用光的干涉相消抵消反射九寨溝面議2025-07-03 -
氟化釔粉末狀 三氟化釔供應(yīng)
英文名稱:Yttrium Fluoride 分子式:YF3 分子量:145.901109 CAS.13709-49-4 用于制備稀土晶體激光材料,上轉(zhuǎn)換發(fā)光材料、氟化物玻璃光導(dǎo)纖維和氟化物旋光玻璃。 外觀性狀:白色粉末,立方晶系。在空氣中有吸濕性,較穩(wěn)定。 山東德盛新材料生產(chǎn)氟化釔產(chǎn)品可用于制備九寨溝面議2025-07-03 -
硫酸高鈰四水合硫酸高鈰分析純硫酸高鈰
硫酸高鈰 四水合硫酸高鈰 分析純硫酸高鈰是一種常用的強(qiáng)氧化劑?;瘜W(xué)式Ce(SO4)2。分子量 332.24。深黃色晶體。相對密度3.91。143℃分解。其 四水合物為黃色斜方系晶體,相對密度3.91。在水中溶解而生成堿式鹽九寨溝面議2025-07-03 -
無水氯化鑭鋁合金抗腐蝕優(yōu)化
鋁合金抗腐蝕優(yōu)化 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)無水氯化鑭添加量(以 La 計)為 0.2% 時,2024 鋁合金在 3.5% NaCl 溶液中的腐蝕電流密度最低(較未添加組降低 60%),且縫隙腐蝕產(chǎn)物膜最致密,此時為最佳值。 無水氯化鑭在合金材料領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,可用于制備金屬鑭進(jìn)而制造特種合金,還九寨溝面議2025-07-03 -
氧化釔 Y2O3鍍膜材料
氧化釔高純99.999% 粒徑3-5微米 CAS號:1314-36-9外觀性狀:白色或無色粉末,溶于無機(jī)酸,不溶于水和醇。 氧化釔密度和溶解度: 5.01 g/mL at 25 °C(lit.) 氧化釔粉應(yīng)用制造紅外線光譜儀中光源。乙炔燈和煤氣燈的紗罩。彩色電視管熒光體。氧化鋯耐火材料穩(wěn)定劑。熒光粉。九寨溝面議2025-07-03 -
10099-58-8 三氯化鑭真空裝2kg/包 方便使用
金屬鑭原料氯化鑭有無水和七水兩種狀態(tài) 英文: Lanthanum chloride anhydrous 氯化鑭的兩種分子式:LaCl3?7H2O和LaCl3 產(chǎn)品CAS. 10025-84-0和10099-58-8 無水三氯化鑭是白色粉末,易吸濕,溶于水,可用于制取金屬鑭和石油催化劑原料,還可用于貯氫電池材料。 水合氯化九寨溝面議2025-07-03 -
無機(jī)涂料用硅酸鉀AH-K2
無機(jī)涂料用硅酸鉀AH-K2 特性: AH-K2是北京澳漢化工公司專門為無機(jī)礦物涂料設(shè)計開發(fā)的一種無機(jī)涂料粘結(jié)劑。用其所制成的無機(jī)礦物涂料不僅具有良好的貯存穩(wěn)定性,同時具備防霉難燃、環(huán)保節(jié)能、耐久舒適等特性。 外觀:無色至淡黃色透明或半透明粘稠液 技術(shù)指標(biāo):九寨溝面議2025-07-03 -
化學(xué)試劑 Ce(NH4)2(NO3)6
單電子氧化劑can在銅刻蝕技術(shù)中具有重要應(yīng)用,主要基于其強(qiáng)氧化性,可將銅氧化從而實(shí)現(xiàn)刻蝕。相關(guān)介紹如下: 刻蝕原理:單電子氧化劑can是一種強(qiáng)氧化劑,化學(xué)式為 (NH?)?Ce (NO?)??2H?O6。在銅刻蝕過程中,鈰銨中的 Ce??具有強(qiáng)氧化性,能將銅單質(zhì)氧化為銅離子,自身被還原九寨溝面議2025-07-02 -
10024-93-8 三氯化釹
無水氯化釹 1.用于合成藥物中間體。 2.氯化釹(III)可用于生產(chǎn)金屬Nd。 3.NdCl3可與有機(jī)化學(xué)品結(jié)合用于催化。 4.作為一種氯化物,NdCl3本身是一種腐蝕劑,有時用于陶瓷的腐蝕試驗(yàn)。 產(chǎn)品名稱:無水氯化釹 CAS號:10024-93-8 分子式:NdCl3 分子量:250.5990 EINECS號九寨溝面議2025-07-02 -
三氯化鈰粉末 水分小于0.5
Cerium Chloride (Mohrs Salt) 英文名:Cerium trichloride 別 稱:三氯化鈰(III)無水 化學(xué)式:CeCl3 CAS碼7790-86-5 分子量:246.47九寨溝面議2025-07-02 -
氯化鉺六水 現(xiàn)貨
氯化鉺 陶瓷著色材料 水合氯化鉺價格,山東氯化鉺提供商 英文名稱:ERBIUMCHLORIDEHEXAHYDRATE 分子式:ErCl3·6H2O 六水氯化鉺相對分子質(zhì)量:381.559 CAS.10025-75-9 外觀性狀:粉紅色結(jié)晶體,易溶于水和醇,有潮解性,密閉保存。 氯化鉺生產(chǎn)廠家 用于制造鉺化合物中九寨溝面議2025-07-02 -
氧化镥99.99% 高純試劑
氧化镥高純試劑lutetium(+3) cation; oxygen(-2) anion 分子式:Lu2O3 氧化镥分子量:397.9322 CAS .12032-20-1 外觀性狀:白色粉末,不溶于水,溶于無機(jī)酸 用途:氧化镥用于釹鐵硼永磁材料、化工添加劑、電子工業(yè)、及科學(xué)研究等。 包裝:編織袋包裝25、50/公斤、1000公九寨溝面議2025-07-02 -
16774-21-3 鈰銨廠供
16774-21-3 鈰銨廠供還可以用于電子工業(yè),作為電子元件制造中的摻雜劑,能夠改善材料的電學(xué)性能;在光學(xué)玻璃制造中,它可以作為添加劑,影響玻璃的折射率和吸收光譜等光學(xué)性質(zhì),從而制造出具有特殊光學(xué)性能的玻璃。 改變折射率九寨溝面議2025-07-02 -
銦離子制備復(fù)合物
三氯化銦、水合氯化銦、四水合三氯化銦EINECS號: 233-043-0 濟(jì)寧研發(fā)生產(chǎn)氯化銦 大量現(xiàn)現(xiàn)貨供應(yīng) 本品用于用于氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等透明導(dǎo)電膜,廣泛應(yīng)用于觸摸屏、太陽能電池、OLED 顯示基板。 產(chǎn)品優(yōu)勢介紹與金屬銦靶材相比,氯化銦前驅(qū)體成本更低九寨溝面議2025-07-02
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