深圳集成電路硅片切盲槽微孔加工
200元2022-12-08 08:23:04
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| 產(chǎn)地 | 北京 | 分類(lèi) | 硅片切割 |
| 切割加工最小縫隙 | 0.05mm | 加工厚度范圍 | 0.1--2mm |
| 加工方式 | 激光切割 | 品牌 | HE |
| 微信號(hào) | 13011886131 | 服務(wù)范圍 | 全國(guó) |
| 硅片大小加工范圍 | 300mm | 聯(lián)系人 | 張經(jīng)理 |
深圳集成電路硅片切盲槽微孔加工
硅片激光切割設(shè)備的特點(diǎn)：
·高配置：采用進(jìn)口光纖激光器，光束質(zhì)量更好（標(biāo)準(zhǔn)基模）、切縫更細(xì)（30μm）、邊緣更平整光滑。
·免維護(hù)：整機(jī)采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)模塊化設(shè)計(jì)，真正免維護(hù)、不間斷連續(xù)運(yùn)行、無(wú)消耗性易損件更換。
·操作方便：設(shè)備集成風(fēng)冷設(shè)置，設(shè)備體積更小，操作更簡(jiǎn)單。
·專(zhuān)用控制軟件：專(zhuān)為激光劃片機(jī)而設(shè)計(jì)的控制軟件，操作簡(jiǎn)單，能實(shí)時(shí)顯示劃片路徑。
·工作效率高：T型臺(tái)雙工位交替運(yùn)行，提高工作效率。
傳統(tǒng)機(jī)械加工硅片的劣勢(shì)：
傳統(tǒng)硅片切割方式是機(jī)械切割，速度慢、斷面平整性差、碎片多、不環(huán)保。硅是一種脆性材料，機(jī)械切割極易使邊緣產(chǎn)生破裂，造成硅表面彈性應(yīng)變區(qū)、位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)區(qū)和碎晶區(qū)的組成層損傷，甚至可能造成隱形裂紋，影響電性參數(shù)等危害。激光切割技術(shù)具有無(wú)接觸、無(wú)機(jī)械應(yīng)力、切縫寬度小、斷面平整光滑、精度高、速度快、性能穩(wěn)定等優(yōu)勢(shì)；
1.激光切割、劃片是非機(jī)械式的，屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其他損壞現(xiàn)象。
2.激光切割、劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器對(duì)芯片的電性影響較小，可以提高更高的切割成品率。
3.激光切割速度為150mm/s。切割速度較快。
4.激光可以切割厚度較薄的晶圓，可以勝任不同厚度的晶圓劃片。
5.激光可以切割一些較為復(fù)雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等。
6.激光切割不需要去離子水，不存在刀具磨損問(wèn)題，可連續(xù)24小時(shí)作業(yè)。
7.激光具有很好的兼容性，對(duì)于不同的晶圓片，激光切割具有更好的兼容性和通用性。
超薄硅片打孔是一項(xiàng)非常精細(xì)的工序，因?yàn)楣杵^薄，打孔的時(shí)候不能損壞其表面的精度，打孔的密度、孔徑大小需要達(dá)到一定的精度以及所要求的大小。
激光打孔是將光斑直徑縮小到微米級(jí)，從而獲得高的激光功率密度，幾乎可以在任何材料實(shí)行激光打孔。其特點(diǎn)是可以在硬度高、質(zhì)地脆或者軟的材料上打孔，孔徑小、加工速度快、效率高。
超薄硅片使用激光打孔可以打出小孔:1.00～3.00(mm);次小孔:0.40～1.00(mm);超小孔:0.1～0.40(mm);微孔:0.01～0.10(mm);
激光切割技術(shù)集光學(xué)、精密機(jī)械、電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)于一體，于傳統(tǒng)方法相比
1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圓利用率高；3、非接觸式加工，適合薄基圓；4、自動(dòng)化程度高，任意圖形切割。目前激光切割技術(shù)可以應(yīng)用于切割硅片、低k材料、發(fā)光二極管襯底、微機(jī)電系統(tǒng)和薄膜太陽(yáng)能電池等光電及半導(dǎo)體材料。
晶圓是制造IC的基本原料，而晶圓便是硅元素加以純化，接著將這些純硅制成長(zhǎng)硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，再經(jīng)過(guò)照相制版、研磨、拋光、切片等程序，將多晶硅融解后拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
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