CSR晶閘管KP9-1300-18礦山電氣設備服務周到

封裝外形

平板形

極數(shù)

二極

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名稱：平板式可控硅的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種平板式可控硅。
背景技術：
可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優(yōu)點，發(fā)展迅猛。在世紀應用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結構形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因為陶瓷工藝易碎、雜質難控制等特點，其加工要求非常高，且封裝時需要經過焊接在內的多道工序，工藝復雜，成本高，封裝后良率偏低，返工需破壞性地拆封。
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關電源、電機控制、變焊機、固態(tài)繼電器、有源濾波器、風力發(fā)電設備、工業(yè)傳動裝置、電梯或傳動設備、機車與列車用電源、電能表、照明電器等各種產品上。

可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多?？煽毓栌腥齻€電極：陽極、陰極和控制極。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

可控硅又叫晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。

可控硅模塊的優(yōu)點：
可控硅模塊體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個：陽，陰和門；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。

晶閘管導通的條件：
1、晶閘管陽與陰間接正向電壓；
2、控制與陰之間也接正向電壓(實際工作中,控制加正觸發(fā)脈沖信號)；
晶閘管導通后，控制便失去作用。依靠正反饋，晶閘管仍可維持導通狀態(tài)。
關斷晶閘管的方法：將陽電壓降低到足夠小或加瞬間方向陽電壓、將陽瞬間開路。
晶閘管的過電流保護：
1、過電流：當流過晶閘管的電流有效值超過它的額定通態(tài)平 均電流的有效值時，稱為過電流；
2、原因：負載過重，輸出回路短路等；
3、過電流保護：當發(fā)生過電流時，能迅速將電流切斷，以防晶閘管損壞；
4、措施：靈敏過電流繼電器保護、快速熔斷器保護等；
5、快速熔斷器 。