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二三極管iv測(cè)試儀iv曲線掃描儀
半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等；以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括:SiC.GaN半導(dǎo)體功率器件。面議2025-04-08 -
高電壓大電流功率器件測(cè)試機(jī)
普賽斯儀表專業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和面議2025-04-08 -
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表 實(shí)時(shí)測(cè)試多種材料在同-環(huán)境條件下的電阻值的反應(yīng)靈敏; 在低電壓下進(jìn)行下高范圍跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的電阻測(cè)量，測(cè)試設(shè)備輸入電阻要求高; I/N曲線掃描; 上位機(jī)實(shí)時(shí)顯示各不同壓敏電阻R/t曲線，并可記錄存檔。 S系列源表+上位機(jī)軟件面議2025-04-08 -
1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200
SPA-6100型1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、面議2025-04-08 -
霍爾測(cè)試系統(tǒng)霍爾測(cè)試儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介 霍爾測(cè)試系統(tǒng)霍爾測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快的達(dá)到300A/us級(jí)面議2025-04-08 -
DC參數(shù)測(cè)試iv掃描源表
芯片測(cè)試作為芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過(guò)對(duì)待測(cè)器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測(cè)，區(qū)別缺陷、驗(yàn)證器件是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)、分離器件好壞的過(guò)程。其中直流參數(shù)測(cè)試是檢驗(yàn)芯片電性能的重要手段之一，常用的測(cè)試方法是FIMV（加電流測(cè)電壓）面議2025-04-08 -
功率mos測(cè)試脈沖源表30A數(shù)字源表
PXOOB系列功率mos測(cè)試脈沖源表30A數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)30A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。PXOOB系列源面議2025-04-08 -
分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀
SPA-6100分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、半面議2025-04-08 -
高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備
PMST系列高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)，精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 IGB面議2025-04-08 -
SMU數(shù)字源表搭建場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸? 實(shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)二：四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)三： MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)六：太陽(yáng)能電面議2025-04-08 -
CV測(cè)試系統(tǒng)_CV測(cè)試儀_提供0V~3500V偏壓范圍
CV測(cè)試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開(kāi)關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)矩陣開(kāi)關(guān)加載在待測(cè)件上，內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時(shí)間），C-F（電容-頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能;詳面議2025-04-08 -
霍爾傳感器測(cè)試系統(tǒng)霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試設(shè)備
霍爾傳感器測(cè)試系統(tǒng)霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)介 電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大面議2025-04-08 -
高壓+半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
高壓+半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn) 高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（Z大擴(kuò)展至10kV）； 大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）； 高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試； 豐富模板：內(nèi)置豐富的測(cè)試模板，方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù)； 配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出面議2025-04-08 -
電流-導(dǎo)通電壓掃描測(cè)試脈沖電源300A大電流源
普賽斯HCPL030系列高電流脈沖電源為脈沖恒流源，產(chǎn)品具有輸出脈沖邊沿陡（10μs）、測(cè)試效率高（40ms，外部控制繼電器）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。單臺(tái)輸出電流300A，支持至少六臺(tái)以上多設(shè)備并聯(lián)測(cè)量。設(shè)備主要針對(duì)晶圓測(cè)試，可用于300A面議2025-04-08 -
8000V半導(dǎo)體測(cè)試高壓程控電源
高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高(8000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~8000V，輸出及測(cè)量電流0~40mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。設(shè)備可應(yīng)用于IGBT擊穿電壓測(cè)試、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測(cè)面議2025-04-08 -
電流響應(yīng)時(shí)間測(cè)試脈沖電源
普賽斯HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15us）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)面議2025-04-08 -
IC電氣特性測(cè)試數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%面議2025-04-08 -
GaN SiC三代半功率器件測(cè)試設(shè)備
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬面議2025-04-08 -
柔性傳感器電性能測(cè)試VI源表
普賽斯儀表攜手業(yè)內(nèi)知名廠商共同打造的柔性電子材料測(cè)試系統(tǒng),通過(guò)組合不同動(dòng)作的測(cè)試夾具,可以模擬扭、轉(zhuǎn)、彎、折、卷等5種基本測(cè)試動(dòng)作, 11個(gè)基礎(chǔ)模擬測(cè)試動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用,讓柔性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)化。不僅可以測(cè)試柔性材料的折、彎、扭、拉、卷等五種基本動(dòng)作,而且可以進(jìn)行柔性材面議2025-04-08 -
半導(dǎo)體分立器件電性能iv測(cè)試系統(tǒng)
半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占面議2025-04-08
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