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半導體芯片IV性能測試儀表
半導體芯片IV性能測試儀表認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯儀表S型數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā),單通道,不支持脈沖輸出,觸摸屏操作,支持多種通訊方式,RS-232、GPIB及以太網(wǎng);最大輸出電壓達300V,最小測試電流達100pA,支持USB存儲,一鍵導出面議2026-01-29 -
高精度源表測試LED電性能
LED必須在合適的電流電壓驅(qū)動下才能正常工作。其電壓-電流之間的關系稱為I-V特性。通過對LED電特性的測試,可以獲得對應正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)及漏電流(Ir)等參數(shù),以及相應的I-V曲線。常用的測試方法一般為在LED器件的兩端,加電壓測試電流,或者加電流測試電壓面議2026-01-29 -
LDO電性能測試用數(shù)字源表
LDO常用的電性能參數(shù)測試,主要包括輸出電壓、輸入輸出電壓差、線性調(diào)整率、負載調(diào)整率、靜態(tài)電流等。由于LDO的測試需要分別采集輸入與輸出端的數(shù)據(jù),因此一般情況下,測試系統(tǒng)至少需要配置2臺SMU,并采用上位機軟件(PssSMUTools)進行控制。 普賽斯S系列高精度數(shù)字源表,面議2026-01-29 -
半導體材料IV性能分析儀表
半導體材料IV性能分析儀表認準生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯S型數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā),廠家直銷!性價比高,測試范圍更廣,輸出電壓高達300V,支持USB存儲,一鍵導出報告,符合大環(huán)境下國內(nèi)技術自給的需求,可及時與客戶溝通,為客戶提供高性價比面議2026-01-29 -
1000A高電流脈沖電源
1000A高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。 設備可應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設備可以獨立完成“面議2026-01-29 -
光伏組件PID測試用源表
光伏組件PID測試所需主要儀器為: 步入式環(huán)境測試箱; 絕緣耐壓測試儀; 接地連續(xù)性測試儀; PID測試直流電壓源(數(shù)字源表); HALM太陽模擬器(AAA+級); EL測試儀等。 測試所需電源需求 電源電壓:-1500V~0V/ 0~+1500V 電源時漂:≤0.3%/h面議2026-01-29 -
替代2400/2450國產(chǎn)數(shù)字源表S300型
替代2400/2450國產(chǎn)數(shù)字源表S300型認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六,普賽斯S型數(shù)字源表使用直觀的觸摸屏控制和圖標化操作界面,令新用戶通過簡單操作快速獲取測試結(jié)果,大大縮減學習儀器操作的時間,顯著提高工作效率,同時將更多時間用于科研領域的面議2026-01-29 -
脈沖電流10A國產(chǎn)數(shù)字源表
脈沖電流10A國產(chǎn)數(shù)字源表認準普賽斯儀表,原廠直銷、服務完善!P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應用面議2026-01-29 -
100pA-1A微電流數(shù)字源表
100pA-1A微電流數(shù)字源表特點: 同時精確提供和測量電壓和/或電流; 同步測量,減少測試時間 提供和測量非常廣的電流和電壓; 電壓可達300mV-300V,電流達100nA-1A 支持運行用戶腳本程序,無需電腦控制,提高生產(chǎn)測試速度; 序列測試,簡面議2026-01-29 -
射頻器件頻率特性測試SMU源表
GaNHEMT器件的評估一般包含直流特性(直流l-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。 頻率特性測試 射頻器件的頻率參數(shù)測試包含小信號S參數(shù)、互調(diào)(IMD)、噪聲系數(shù)和雜散等特性的測量。其中,S參數(shù)測試描述了RF器件在不同頻率下和對于信號的不同面議2026-01-29 -
科研機構(gòu)專用數(shù)字源表高精度
數(shù)字源表作為電學測量的常用儀器,在高校和研究所的相關實驗室內(nèi)幾乎都能看到,源表集多表合一、配上專業(yè)軟件即可實現(xiàn)各種定制測量,使用非常廣泛。 S型科研機構(gòu)專用數(shù)字源表高精度使用直觀的觸摸屏控制和圖標化操作界面,令新用戶通過簡單操作快速獲取測試結(jié)果,大大面議2026-01-29 -
HCPL100型高電流脈沖電源
HCPL100型高電流脈沖電源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。 設備可應用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合,使用該設備可以獨立完成“電流-導通面議2026-01-29 -
半導體特性曲線儀iv+cv測試機
半導體特性曲線儀iv+cv測試機優(yōu)勢: IV、CV一鍵測;一體機,支持遠程指令控制;支持三同軸接探針臺 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測試;詳詢18140663476 典型應用: 納米、柔性等材料特性分析; 二極管; MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;面議2026-01-29 -
高精度DC電流源精密直流源表帶脈沖
P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達30A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者,特面議2026-01-29 -
P系列脈沖源表IV測試激光器芯片
PXOOB系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達30A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應用于各種電氣特性測試中。PXOOB系列源表適用于各行各業(yè)使用者面議2026-01-29 -
8000V半導體測試高壓程控電源
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高(8000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~8000V,輸出及測量電流0~40mA。支持恒壓恒流工作模式,同時支持豐富的I-V掃描模式。設備可應用于IGBT擊穿電壓測試、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測面議2026-01-29 -
S型數(shù)字源表工作原理
數(shù)字源表作為電學測量的常用儀器,在高校和研究所的相關實驗室內(nèi)幾乎都能看到,源表集多表合一、配上專業(yè)軟件即可實現(xiàn)各種定制測量,使用非常廣泛。 S型數(shù)字源表在一個半機架尺寸的儀器中結(jié)合了電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載等功能,這些測試功能,令數(shù)字源面議2026-01-29 -
漏電流 開短路測試 電氣特性測試數(shù)字源表
數(shù)字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。 在生產(chǎn)和老化測試時,往往要求在同一時間內(nèi)完成對多個DUT的測試,或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務。基于普賽斯C面議2026-01-29 -
什么是SMU源表?SMU源表的功能和優(yōu)勢
SMU源表突出特點:使用一臺儀器進行多種測量 ; SMU源表功能: ①集合電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載的功能于一身,廣泛用于各類精密器件的測量。 ②四象限工作,可作為源或負載 SMU源表相對傳統(tǒng)電源、萬用表的優(yōu)勢: 源表相對傳統(tǒng)電源的優(yōu)勢:傳統(tǒng)面議2026-01-29 -
寬禁帶器件測試高電壓大電流源
GaN HEMT器件性能的評估,一般包含靜態(tài)參數(shù)測試(I-V測試)、頻率特性(小信號S參數(shù)測試)、功率特性(Load-Pull測試)。靜態(tài)參數(shù),也被稱作直流參數(shù),是用來評估半導體器件性能的基礎測試,也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs(th)為例,其值的大小對研發(fā)人員設計器面議2026-01-29 -
半導體激光器參數(shù)測試設備激光器老化測試系統(tǒng)
普賽斯半導體激光器參數(shù)測試設備激光器老化測試系統(tǒng)是專為解決千瓦級大功率半導體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測試和老化、芯片發(fā)熱嚴重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定面議2026-01-29 -
VCSEL測試設備PL系列
VCSEL測試設備PL系列是為大功率激光器LIV測試而研制的,大功率激光器使用直流或者寬脈沖加電時發(fā)熱嚴重,而激光器特效受溫度影響非常大,直流或?qū)捗}沖下的測試結(jié)果并不能反映器件特性。詳詢一八一四零六六三四七六 PL系列產(chǎn)品具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流大、支持脈面議2026-01-29 -
數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測試實驗平臺
系統(tǒng)方案 普賽斯半導體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz,源表(SMU)負責提供可調(diào)直流電壓偏置,通過矩陣開關加載在待測件上。 進行 C-V 測量時,通常在電容兩端施加直流偏壓,同時利用一個交流信面議2026-01-29 -
30A+1us脈沖源
30A+1us脈沖源的簡述: 作用: 主要應用于VCSEL激光器、大功率LED的測試 功能: 實現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測試 特點: (1)超窄脈沖大電流電流加電,能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的測試需要; (2)支持脈沖光功率和器件脈沖電壓采樣功能。是LIV測試的系統(tǒng)解決方案; (3面議2026-01-29 -
半導體芯片器件參數(shù)分析儀ivcv曲線測試機
SPA6100半導體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益 打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料研究、半導體面議2026-01-29 -
板卡式功率半導體IGBT靜態(tài)參數(shù)測試機
普賽斯ATE-3146靜態(tài)測試機是一款專注于Si/SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT等功率芯片及器件的靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng);采用PXIe通信架構(gòu)方案,支持板卡靈活擴展與高精度電學特性分析;支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出,且蕞大可擴展至3500V、2000A;可與探針臺(Prober)、分選面議2026-01-29 -
脈沖電流源LIV測試光纖激光器泵浦源
脈沖電流源LIV測試光纖激光器泵浦源認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六 liv脈沖電流源的簡述: 作用: 主要應用于激光雷達的激光器測試 功能: 實現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測試 特點: (1)超窄脈沖大電流電流加電,能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的面議2026-01-15 -
多通道源表之miniled芯片LIV測試
源表有一個簡單的定義,就是五表合一(電流源、電壓源、電流表、電壓表、電子負載),也就是源輸出+測量一體化,不同品牌及不同型號的源表都符合這個要求,只是差別在于輸出范圍、測量精度、速度、通道數(shù)不同。 對于早期應用最為廣泛的2400源表,國內(nèi)早已推出對標產(chǎn)面議2026-01-15 -
國產(chǎn)脈沖源表IV測試憶阻器
國產(chǎn)脈沖源表IV測試憶阻器認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工面議2026-01-15 -
國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀
國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀可測項目 集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces 集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat 集電極電流Ic,集電極截止電流Ices 柵極漏電流Iges,柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 柵極電阻Rg 電容測量 I-V特性曲線掃描,C-面議2026-01-15 -
3000V/4000A功率器件分析儀
普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀特點和優(yōu)勢: 單臺Z大3000V輸出; 單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A; 10us的超快電流上升沿; 同步測量; 國標全指標的自動化測試;詳詢一八一四零六六三四七六 普賽斯3000V/4000A功率器件分析儀集多種測量和分面議2026-01-15 -
替代2657高壓程控電源
E系列高壓程控電源 特點和優(yōu)勢: 10ms級的上升沿和下降沿; 單臺最大3000V的輸出; 同步電流測量; 替代2657高壓程控電源具有輸出及測量電壓高(3000V)、能輸出及測量微弱電流信號(1nA)的特點。設備工作在第一象限,輸出及測量電壓0~3000V,輸出及測量電面議2026-01-15 -
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量面議2026-01-15 -
高電流脈沖電源測試電流傳感器響應時間
高電流脈沖電源測試電流傳感器響應時間認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六 ;高電流脈沖電源為脈沖恒流源,具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(10uS)、支持兩路脈沖電壓測量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點。 設備可廣泛應用于肖特面議2026-01-15 -
數(shù)字源表測電阻率四探針法
電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量,某種材料制成的長為1米,橫截面積為1平方米的導體的電阻,在數(shù)值上等于這種材料的電阻率。它反映物質(zhì)對電流阻礙作用的屬性,它與物質(zhì)的種類有關,還受溫度、濕度等因素的影響。在實際中我們可能需要測試一些薄而平的材料的電阻率面議2026-01-15 -
數(shù)字源表測LDO芯片電性能
LDO,全稱為“Low Dropout Regulator”,是一種低壓差線性穩(wěn)壓元器件。其工作原理為,使用在其飽和區(qū)域內(nèi)運行的晶體管或場效應管(FET),從應用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。相比于傳統(tǒng)的DC-DC變換器,LDO具有成本低,噪音低,靜態(tài)電流小的特點,需面議2026-01-15
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