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全武漢行業(yè)市場信息
共找到 1361 條信息-
源表搭建整流二極管的性能測試實驗
源表搭建整流二極管的性能測試實驗認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯實驗平臺以工程教育專業(yè)認證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè),以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學習者為中心的教育生態(tài),培養(yǎng)集成電路硬件測試人才。為學生提供豐富的教學資源以及貼近現(xiàn)實的產(chǎn)業(yè)環(huán)面議2026-02-25 -
替代2651國產(chǎn)大電流數(shù)字源表
HCP系列大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,最大脈沖電流達100A,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。大電流源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導體面議2026-02-25 -
8通道數(shù)字源表測試壓敏電阻
8通道數(shù)字源表測試壓敏電阻認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六 氣敏電阻測試 阻值測試本質(zhì)上是FIMV(加電流測電壓)或FVMI(加電壓測電流),獲取IV曲線后計算阻值。 普賽斯源表具有豐富的電壓電流量程: 電壓范圍0.3mV~300V,電流范圍100面議2026-02-25 -
高精度臺式數(shù)字源表S系列國產(chǎn)電流源
高精度臺式數(shù)字源表S系列國產(chǎn)電流源優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源,并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。可以限定電壓或電流輸出大小,預(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍,全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量,更面議2026-02-25 -
直流特性IV曲線SMU數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%面議2026-02-25 -
半導體電學參數(shù)測試設(shè)備iv+cv測試機
半導體電學參數(shù)測試設(shè)備iv+cv測試機優(yōu)勢: IV、CV一鍵測;一體機,支持遠程指令控制;支持三同軸接探針臺 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測試;詳詢18140663476 SPA-6100半導體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高面議2026-02-25 -
高功率源表30A直流100A脈沖
HCP系列大電流臺式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測量精度均可達0.1%,可廣泛用于功率MOS測試、肖特二極管測試、整流橋堆測試及太陽能電池模組測試等。詳詢一八一四零六六三四七六 應(yīng)用 ?納米材料面議2026-02-25 -
功率mos管電性能分析IV測試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適面議2026-02-25 -
基于數(shù)字源表的高校微電子教學實驗平臺
基于數(shù)字源表的高校微電子教學實驗平臺特色: 1、外觀簡潔緊湊集成度高 2、通用開放型儀表平臺 以數(shù)字源表(SMU)為核心,覆蓋所有材料器件的直流特性測試;示波器、信號源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動態(tài)參數(shù)測試實驗。 3、模塊化設(shè)計實驗夾具盒 4、引入集面議2026-02-25 -
數(shù)字源表助力工程師提取半導體器件IV電性能參數(shù)
半導體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應(yīng)管等。 直流 I-V 測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析,或 I-V 曲線,來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多,引腳數(shù)量和待測參數(shù)各不相面議2026-02-25 -
高精度源表IV測試憶阻器直流特性
憶阻器基礎(chǔ)性能研究測試 憶阻器件的評估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學特性進行測量。 直流l-V特性測試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵會面議2026-02-25 -
大電流脈沖源表
P系列功率mos管I-V電性能測試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表面議2026-02-25 -
MEMS氣體傳感器測試系統(tǒng)
通常,氣體傳感器 I-V 特性測試需要幾臺儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復(fù)雜又耗時,還占用過多測試臺的空間。而且,使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作,有更面議2026-02-25 -
半導體電學特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀
SPA-6100半導體電學特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料面議2026-02-25 -
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導體參數(shù)分析儀
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導體參數(shù)分析儀特點: 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力; 測量精度高,全量程下可達0.03%精度; 內(nèi)置標準器件測試程序,直接調(diào)用測試簡便; 自動實時參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù); 在CV和IV測量之間快速切換而無需重面議2026-02-25 -
半導體特性測試儀IV曲線掃描儀
半導體特性測試儀IV曲線掃描儀認準普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應(yīng)用面議2026-02-25 -
LIV光電特性測試脈沖恒流源
LIV光電特性測試脈沖恒流源認準普賽斯儀表,廠家直銷,服務(wù)完善,詳詢一八一四零六六三四七六;PL系列脈沖電流源是針對大功率激光器LIV測試而研制的,觸摸顯示屏全圖形化操作,高靈敏度寬帶光功率檢測,內(nèi)置LIV測試軟件加速用戶完成測試,具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流面議2026-02-25 -
大功率igbt模塊測試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀
普賽斯大功率igbt模塊測試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率面議2026-02-25 -
半導體參數(shù)測試儀CV+IV曲線掃描儀
SPA-6100半導體參數(shù)測試儀CV+IV曲線掃描儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料研面議2026-02-25 -
半導體特性曲線測試儀IV曲線掃描儀
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準確度提升至±0.03%面議2026-02-25 -
半導體分立器件靜態(tài)測試設(shè)備
普賽斯半導體分立器件測試設(shè)備,集多種測量和分析功能一體,可以精準測量IGBT功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢一八一四零六六三四七六面議2026-02-25 -
功率器件功能高壓測試模塊
E系列功率器件功能高壓測試模塊特點和優(yōu)勢: 十ms級的上升沿和下降沿; 單臺最大3500V的輸出; 0.1%測試精度; 同步電流或電壓測量; 支持程控恒壓測流,恒流測壓,便于掃描測試;詳詢一八一四零六六三四七六; 部分參數(shù) 最大輸出功率:350W,3500V面議2026-02-25 -
國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀1200V/100A
SPA-6100國產(chǎn)半導體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試;SPA-6100半導體參數(shù)分析儀可以幫助面議2026-02-25 -
精密國產(chǎn)電流源高精度IV曲線測試掃描儀
精密國產(chǎn)電流源高精度IV曲線測試掃描儀優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源,并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作??梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?,預(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍,全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量面議2026-02-25 -
E系列功率器件功能高壓測試模塊
武漢普賽斯儀表有限公司,是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品,專注于第三代半導體測試,提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。 未來,普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測試方案,以更優(yōu)面議2026-02-25 -
旁路二極管熱性能測試脈沖電流源
熱斑效應(yīng):太陽能電池一般是由多塊電池組件串聯(lián)或并聯(lián)起來。串聯(lián)支路中可能由于電池片內(nèi)部缺陷或者外部遮擋,將被當作負載消耗其他有光照的太陽電池組件所產(chǎn)生的能量。被遮蔽的太陽電池組件此時會嚴重發(fā)熱而受損。旁路二極管是指并聯(lián)于太陽能電池板正負極兩端之間的二極管,面議2026-02-25 -
apd暗電流測試數(shù)字源表
在APD的光電特性中,暗電流是一個重要的參數(shù)。暗電流是指在沒有光照射的情況下,APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流,暗電流測試的準確性對于評估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進行APD暗電流測試時,通常面臨如下挑戰(zhàn):測試環(huán)境影響、連接面議2026-02-25 -
晶體管iv圖示儀分立器件檢測儀
晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件,是一種半導體器件,放大器或電控開關(guān)常用;包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管(后三者均為三端子)等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能,晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模面議2026-02-25 -
二三極管iv測試儀iv曲線掃描儀
半導體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導體為基材時,半導體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等;以寬禁帶材料半導體為基材時,半導體分立器件主要包括:SiC.GaN半導體功率器件。面議2026-02-25 -
高電壓大電流功率器件測試機
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和面議2026-02-25 -
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表
電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表 實時測試多種材料在同-環(huán)境條件下的電阻值的反應(yīng)靈敏; 在低電壓下進行下高范圍跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的電阻測量,測試設(shè)備輸入電阻要求高; I/N曲線掃描; 上位機實時顯示各不同壓敏電阻R/t曲線,并可記錄存檔。 S系列源表+上位機軟件面議2026-02-25 -
1200V半導體分析儀替代4200
SPA-6100型1200V半導體分析儀替代4200是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料研究、面議2026-02-25 -
DC參數(shù)測試iv掃描源表
芯片測試作為芯片設(shè)計、生產(chǎn)、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測,區(qū)別缺陷、驗證器件是否符合設(shè)計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數(shù)測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)面議2026-02-25 -
功率mos測試脈沖源表30A數(shù)字源表
PXOOB系列功率mos測試脈沖源表30A數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達30A,Z大輸出電壓達300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。PXOOB系列源面議2026-02-25 -
分立器件檢測儀iv+cv測試儀
SPA-6100分立器件檢測儀iv+cv測試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料研究、半面議2026-02-25 -
高電壓大電流-半導體功率測試設(shè)備
PMST系列高電壓大電流-半導體功率測試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計,精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一致能夠提供IV,CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 IGB面議2026-02-25
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