武漢行業(yè)市場(chǎng)

全武漢行業(yè)市場(chǎng)信息

共找到 1361 條信息
  • 電流-導(dǎo)通電壓掃描測(cè)試脈沖電源300A大電流源

    電流-導(dǎo)通電壓掃描測(cè)試脈沖電源300A大電流源

    普賽斯HCPL030系列高電流脈沖電源為脈沖恒流源，產(chǎn)品具有輸出脈沖邊沿陡（10μs）、測(cè)試效率高（40ms，外部控制繼電器）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。單臺(tái)輸出電流300A，支持至少六臺(tái)以上多設(shè)備并聯(lián)測(cè)量。設(shè)備主要針對(duì)晶圓測(cè)試，可用于300A
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    2026-01-15
  • 電流響應(yīng)時(shí)間測(cè)試脈沖電源

    電流響應(yīng)時(shí)間測(cè)試脈沖電源

    普賽斯HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15us）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)
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    2026-01-15
  • SMU數(shù)字源表搭建場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    SMU數(shù)字源表搭建場(chǎng)效應(yīng)晶體管IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸? 實(shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)二：四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)三： MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn) 實(shí)驗(yàn)六：太陽(yáng)能電
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    2026-01-15
  • 高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備

    高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備

    PMST系列高電壓大電流-半導(dǎo)體功率測(cè)試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)，精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 IGB
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    2026-01-15
  • 分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀

    分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀

    SPA-6100分立器件檢測(cè)儀iv+cv測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、半
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    2026-01-15
  • 功率mos測(cè)試脈沖源表30A數(shù)字源表

    功率mos測(cè)試脈沖源表30A數(shù)字源表

    PXOOB系列功率mos測(cè)試脈沖源表30A數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)30A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。PXOOB系列源
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    2026-01-15
  • DC參數(shù)測(cè)試iv掃描源表

    DC參數(shù)測(cè)試iv掃描源表

    芯片測(cè)試作為芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝、測(cè)試流程中的重要步驟，是使用特定儀器，通過(guò)對(duì)待測(cè)器件DUT(DeviceUnderTest)的檢測(cè)，區(qū)別缺陷、驗(yàn)證器件是否符合設(shè)計(jì)目標(biāo)、分離器件好壞的過(guò)程。其中直流參數(shù)測(cè)試是檢驗(yàn)芯片電性能的重要手段之一，常用的測(cè)試方法是FIMV（加電流測(cè)電壓）
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    2026-01-15
  • 1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200

    1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200

    SPA-6100型1200V半導(dǎo)體分析儀替代4200是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、
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    2026-01-15
  • 電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表

    電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表

    電阻式傳感器電性能分析SMU數(shù)字源表 實(shí)時(shí)測(cè)試多種材料在同-環(huán)境條件下的電阻值的反應(yīng)靈敏; 在低電壓下進(jìn)行下高范圍跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的電阻測(cè)量，測(cè)試設(shè)備輸入電阻要求高; I/N曲線掃描; 上位機(jī)實(shí)時(shí)顯示各不同壓敏電阻R/t曲線，并可記錄存檔。 S系列源表+上位機(jī)軟件
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    2026-01-15
  • 高電壓大電流功率器件測(cè)試機(jī)

    高電壓大電流功率器件測(cè)試機(jī)

    普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和
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    2026-01-15
  • 霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備

    霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備

    產(chǎn)品簡(jiǎn)介 霍爾延時(shí)響應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)電流傳感器測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快
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    2026-01-15
  • 二三極管iv測(cè)試儀iv曲線掃描儀

    二三極管iv測(cè)試儀iv曲線掃描儀

    半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類(lèi)型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等；以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括:SiC.GaN半導(dǎo)體功率器件。
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    2026-01-15
  • 晶體管iv圖示儀分立器件檢測(cè)儀

    晶體管iv圖示儀分立器件檢測(cè)儀

    晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，是一種半導(dǎo)體器件，放大器或電控開(kāi)關(guān)常用；包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管（后三者均為三端子）等。晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模
    面議
    2026-01-15
  • apd暗電流測(cè)試數(shù)字源表

    apd暗電流測(cè)試數(shù)字源表

    在APD的光電特性中，暗電流是一個(gè)重要的參數(shù)。暗電流是指在沒(méi)有光照射的情況下，APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對(duì)產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流，暗電流測(cè)試的準(zhǔn)確性對(duì)于評(píng)估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進(jìn)行APD暗電流測(cè)試時(shí)，通常面臨如下挑戰(zhàn)：測(cè)試環(huán)境影響、連接
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    2026-01-15
  • 旁路二極管熱性能測(cè)試脈沖電流源

    旁路二極管熱性能測(cè)試脈沖電流源

    熱斑效應(yīng)：太陽(yáng)能電池一般是由多塊電池組件串聯(lián)或并聯(lián)起來(lái)。串聯(lián)支路中可能由于電池片內(nèi)部缺陷或者外部遮擋，將被當(dāng)作負(fù)載消耗其他有光照的太陽(yáng)電池組件所產(chǎn)生的能量。被遮蔽的太陽(yáng)電池組件此時(shí)會(huì)嚴(yán)重發(fā)熱而受損。旁路二極管是指并聯(lián)于太陽(yáng)能電池板正負(fù)極兩端之間的二極管，
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    2026-01-15
  • E系列功率器件功能高壓測(cè)試模塊

    E系列功率器件功能高壓測(cè)試模塊

    武漢普賽斯儀表有限公司，是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。 未來(lái)，普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測(cè)試方案，以更優(yōu)
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    2026-01-15
  • 精密?chē)?guó)產(chǎn)電流源高精度IV曲線測(cè)試掃描儀

    精密?chē)?guó)產(chǎn)電流源高精度IV曲線測(cè)試掃描儀

    精密?chē)?guó)產(chǎn)電流源高精度IV曲線測(cè)試掃描儀優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量
    面議
    2026-01-15
  • 大電流電源3000A電流源

    大電流電源3000A電流源

    普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和
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    2026-01-15
  • 功率器件CV測(cè)試系統(tǒng)+CV測(cè)試儀

    功率器件CV測(cè)試系統(tǒng)+CV測(cè)試儀

    系統(tǒng)方案 普賽斯功率器件CV測(cè)試系統(tǒng)+CV測(cè)試儀主要由源表、LCR表、矩陣開(kāi)關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過(guò)矩陣開(kāi)關(guān)加載在待測(cè)件上。 進(jìn)行 C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一
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    2026-01-15
  • 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀1200V/100A

    國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀1200V/100A

    SPA-6100國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試；SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助
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    2026-01-15
  • 功率器件功能高壓測(cè)試模塊

    功率器件功能高壓測(cè)試模塊

    E系列功率器件功能高壓測(cè)試模塊特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)： 十ms級(jí)的上升沿和下降沿； 單臺(tái)最大3500V的輸出； 0.1%測(cè)試精度； 同步電流或電壓測(cè)量； 支持程控恒壓測(cè)流，恒流測(cè)壓，便于掃描測(cè)試；詳詢一八一四零六六三四七六； 部分參數(shù) 最大輸出功率：350W，3500V
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    2026-01-15
  • 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試設(shè)備

    半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試設(shè)備

    普賽斯半導(dǎo)體分立器件測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢一八一四零六六三四七六
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    2026-01-15
  • 半導(dǎo)體特性曲線測(cè)試儀IV曲線掃描儀

    半導(dǎo)體特性曲線測(cè)試儀IV曲線掃描儀

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%
    面議
    2026-01-15
  • 半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀CV+IV曲線掃描儀

    半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀CV+IV曲線掃描儀

    SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀CV+IV曲線掃描儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研
    面議
    2026-01-15
  • 大功率igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    大功率igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

    普賽斯大功率igbt模塊測(cè)試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率
    面議
    2026-01-15
  • LIV光電特性測(cè)試脈沖恒流源

    LIV光電特性測(cè)試脈沖恒流源

    LIV光電特性測(cè)試脈沖恒流源認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，廠家直銷(xiāo)，服務(wù)完善，詳詢一八一四零六六三四七六；PL系列脈沖電流源是針對(duì)大功率激光器LIV測(cè)試而研制的，觸摸顯示屏全圖形化操作，高靈敏度寬帶光功率檢測(cè)，內(nèi)置LIV測(cè)試軟件加速用戶完成測(cè)試，具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流
    面議
    2026-01-15
  • 半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試儀優(yōu)勢(shì) 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點(diǎn)可調(diào)； 高精度、大動(dòng)態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%； 內(nèi)置CV測(cè)試：內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時(shí)間），C-F（電容-頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能; 兼容IV測(cè)試：同時(shí)
    面議
    2026-01-15
  • 半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀

    半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀

    半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?；詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用
    面議
    2026-01-15
  • 寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

    寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點(diǎn)： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力； 測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度； 內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便； 自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)； 在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重
    面議
    2026-01-15
  • 半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀

    半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀

    SPA-6100半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料
    面議
    2026-01-15
  • MEMS氣體傳感器測(cè)試系統(tǒng)

    MEMS氣體傳感器測(cè)試系統(tǒng)

    通常，氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。而且，使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更
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    2026-01-15
  • 汽車(chē)電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備

    汽車(chē)電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備

    汽車(chē)電流傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)介 電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，單臺(tái)大電流源電流可高達(dá)1000A。該系統(tǒng)可測(cè)量不同電流傳感器的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極
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    2026-01-15
  • 大電流脈沖源表

    大電流脈沖源表

    P系列功率mos管I-V電性能測(cè)試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表
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    2026-01-15
  • 高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性

    高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性

    憶阻器基礎(chǔ)性能研究測(cè)試 憶阻器件的評(píng)估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測(cè)試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對(duì)憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)量。 直流l-V特性測(cè)試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵(lì)會(huì)
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    2026-01-15
  • 數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)

    數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)

    半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V 曲線，來(lái)決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類(lèi)繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相
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    2026-01-15
  • 基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

    基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)特色： 1、外觀簡(jiǎn)潔緊湊集成度高 2、通用開(kāi)放型儀表平臺(tái) 以數(shù)字源表(SMU)為核心，覆蓋所有材料器件的直流特性測(cè)試；示波器、信號(hào)源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)。 3、模塊化設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)夾具盒 4、引入集
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    2026-01-15
排行8武漢行業(yè)市場(chǎng) 頻道為您提供2026最新武漢行業(yè)市場(chǎng)信息，在此有大量武漢行業(yè)市場(chǎng)報(bào)價(jià)/圖片/價(jià)格信息供您選擇，您可以免費(fèi)查看和發(fā)布行業(yè)市場(chǎng)服務(wù)信息。

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