寬禁帶器件測試高電壓大電流源
價格面議2025-02-27 16:12:18
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寬禁帶器件測試高電壓大電流源
GaN HEMT器件性能的評估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測試（I-V測試）、頻率特性（小信號S參數(shù)測試）、功率特性（Load-Pull測試）。靜態(tài)參數(shù)，也被稱作直流參數(shù)，是用來評估半導體器件性能的基礎測試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對研發(fā)人員設計器件的驅動電路具有重要的指導意義。
靜態(tài)測試方法，一般是在器件對應的端子上加載電壓或者電流，并測試其對應參數(shù)。與Si基器件不同的是，GaN器件的柵極閾值電壓較低，甚至要加載負壓。常見的靜態(tài)測試參數(shù)有：閾值電壓、擊穿電壓、漏電流、導通電阻、跨導、電流坍塌效應測試等。寬禁帶器件測試高電壓大電流源認準普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；
武漢普賽斯儀表有限公司是，是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品，專注于第三代半導體測試，提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。
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