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寬禁帶器件測試高電壓大電流源
GaN HEMT器件性能的評估，一般包含靜態(tài)參數(shù)測試（I-V測試）、頻率特性（小信號S參數(shù)測試）、功率特性（Load-Pull測試）。靜態(tài)參數(shù)，也被稱作直流參數(shù)，是用來評估半導(dǎo)體器件性能的基礎(chǔ)測試，也是器件使用的重要依據(jù)。以閾值電壓Vgs（th）為例，其值的大小對研發(fā)人員設(shè)計(jì)器面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體激光器參數(shù)測試設(shè)備激光器老化測試系統(tǒng)
普賽斯半導(dǎo)體激光器參數(shù)測試設(shè)備激光器老化測試系統(tǒng)是專為解決千瓦級大功率半導(dǎo)體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測試和老化、芯片發(fā)熱嚴(yán)重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定面議2025-02-27 -
光電器件特性參數(shù)分析數(shù)字源表
光電探測器一般需要先對晶圓進(jìn)行測試,封裝后再對器件進(jìn)行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時(shí)比較關(guān)注暗電流、反向擊穿電壓、結(jié)電面議2025-02-27 -
光電二極管性能測試精密源表
光電探測器光電測試 光電探測器一般需要先對晶圓進(jìn)行測試,封裝后再對器件進(jìn)行二次測試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴對,從而完成光生載流子過程,因此光電探測器通常在反向狀態(tài)工作;測試時(shí)比較關(guān)面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件測試儀IV曲線儀
半導(dǎo)體器件測試儀IV曲線儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢18140663476；普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測試方案? S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢： 1、多功能面議2025-02-27 -
精密電流源直流源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%面議2025-02-27 -
功率半導(dǎo)體測試平臺功率器件測試設(shè)備
普賽斯功率半導(dǎo)體測試平臺功率器件測試設(shè)備特點(diǎn)和優(yōu)勢： 單臺Z大3500V輸出； 單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A； 15us的超快電流上升沿； 同步測量； 國標(biāo)全指標(biāo)的自動化測試； 可定制夾具； nA級電流和uΩ級電阻測量； 測試項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體芯片測試設(shè)備IV曲線掃描儀器
眾所周知，半導(dǎo)體芯片測試設(shè)備IV曲線掃描儀器應(yīng)用的專業(yè)領(lǐng)域十分廣泛，分別有：微電子、集成電路、物理與電子工程、航空航天、材料科學(xué)與工程、材料與能源、電子科學(xué)與工程、光電信息與能源工程等等等... 數(shù)字源表作為電學(xué)測量的常用儀器，在高校和研究所的相關(guān)實(shí)驗(yàn)室內(nèi)幾面議2025-02-27 -
電參數(shù)測量多合一數(shù)字源表
分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應(yīng)，通常分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字萬用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過多測面議2025-02-27 -
igbt模塊測試設(shè)備功率器件測試儀
普賽斯igbt模塊測試設(shè)備功率器件測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如面議2025-02-27 -
pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，pA級微電流數(shù)字源表IV測試源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六； 源表特點(diǎn)： 多面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體分立器件測試設(shè)備參數(shù)分析源表
半導(dǎo)體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導(dǎo)體元器件，用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等電路中，是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一，在消費(fèi)電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動化控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣面議2025-02-27 -
電流階躍測試電源高電流脈沖源
電流階躍測試電源高電流脈沖源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。 設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設(shè)面議2025-02-27 -
直流30A大電流數(shù)字源表
HCP系列直流30A大電流數(shù)字源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測量精度均可達(dá)0.1%，可廣泛用于功率MOS測試、肖特二極管測試、整流橋堆測試及太陽能電池模組測試等。詳詢一八一四零六六三四七六； 應(yīng)用 ?納米材面議2025-02-27 -
SMU電流模塊
SMU電流模塊認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用優(yōu)勢： 1、多功能面議2025-02-27 -
功率模塊igbt測試設(shè)備igbt測試儀
普賽斯功率模塊igbt測試設(shè)備igbt測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如面議2025-02-27 -
壓力傳感器測試儀
通常，壓力傳感器Ⅳ特性測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過多測試臺的空間。而且，使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的面議2025-02-27 -
半導(dǎo)體器件電性能測試儀表高精度數(shù)字源表
半導(dǎo)體器件電性能測試儀表高精度數(shù)字源表找普賽斯儀表，普賽斯數(shù)字源表國產(chǎn)自主研發(fā)，對標(biāo)美國2400，B2901；可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測量同步進(jìn)行，提高測試效率；支持四象限工作，測量范圍廣，電壓高至300V，電流低至10pA；支持USB存儲，一鍵導(dǎo)出數(shù)據(jù)報(bào)告；5寸觸摸顯示屏面議2025-02-27 -
數(shù)字源表搭建MOS電容CV特性測試實(shí)驗(yàn)平臺
系統(tǒng)方案 普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測件上。 進(jìn)行 C-V 測量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時(shí)利用一個(gè)交流信面議2025-02-27 -
SMU數(shù)字源表搭建微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺
在半導(dǎo)體材料和器件的研究中，電性能測試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，微電子工藝逐漸復(fù)雜，如何對微電子材料器件進(jìn)行高效率測試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號國產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進(jìn)一步打通測試融合壁壘，打造閉環(huán)解決方案，通過對半導(dǎo)體高面議2025-02-27
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