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半導體器件功率分析儀
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和面議2025-02-27 -
半導體性能檢測設備iv曲線測試儀
實施特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時多年打造了高精度、大動態(tài)范圍、率先國產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品，集電壓、電流的輸入輸出及測量等功能于一體?？勺鳛楠毩⒌暮銐涸椿蚝懔髟础⒎赜?、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載。其高性能架構還允許將其面議2025-02-27 -
電化學實驗循環(huán)伏安測試儀
電化學電池的三個電極是工作電極 (WE)、基準電極 (RE) 和反（或輔助）電極 (CE)。WE 和 CE 之間使用雙極性可編程電源進行電壓掃描。RE與 WE 之間的電位E使用數(shù)字電壓表測量，然后調(diào)節(jié)雙極性可編程電源輸出電壓VS，使E為希望的電位值，這時使用萬用表測量流入WE的電流I。之后面議2025-02-27 -
功率半導體參數(shù)測試儀3500V/1000A
普賽斯PMST功率半導體參數(shù)測試儀3500V/1000A，主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件，以及相關通訊、測試配件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設面議2025-02-27 -
半導體器件參數(shù)測試儀半導體參數(shù)分析儀
SPA-6100半導體器件參數(shù)測試儀半導體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿面議2025-02-27 -
半導體器件iv曲線測試儀半導體器件測試設備
半導體分立器件泛指二極管、三極管等具有單一功能的半導體元器件，用于電力電子設備的整流、穩(wěn)壓、開關、混頻等電路中，是構成電力電子變化裝置的核心器件之一，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動化控制、計算機及周邊設備、網(wǎng)絡通訊等眾多國民經(jīng)濟領域均有廣面議2025-02-27 -
霍爾傳感器響應時間測試大電流源15us超快上升沿
HCPL100霍爾傳感器響應時間測試大電流源特點和優(yōu)勢： 50~500us的脈沖寬度連續(xù)可調(diào)； 15us的超快上升沿； 同步測量電壓； 單臺最大可達1000A輸出； 可極性反轉(zhuǎn)； 0.1%測試精度；詳詢一八一四零六六三四七六 應用領域 肖特基二極管 整流面議2025-02-27 -
半導體電學參數(shù)測試設備iv+cv曲線掃描儀
半導體電學參數(shù)測試設備iv+cv曲線掃描儀特點： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力； 測量精度高,全量程下可達0.03%精度； 內(nèi)置標準器件測試程序，直接調(diào)用測試簡便； 自動實時參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)； 在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布面議2025-02-27 -
半導體靜態(tài)參數(shù)測試儀+功率器件測試設備
普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和面議2025-02-27 -
低壓型數(shù)字源表
數(shù)字源表現(xiàn)廣泛用于半導體器件特性測試中，省錢省地，節(jié)約測試臺空間，同時實現(xiàn)了大動態(tài)測試范圍，集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能于一體，普賽斯源表相對于進口源表，測試范圍更廣，價格更便宜！最大輸出電壓達300V，最小測試電流達100pA，支持四象限工作；SXXB系列面議2025-02-27 -
直流3A半導體分立器件測試儀
通常分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字萬用表、 電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復雜又耗時，又占用過多測試臺的空間；實施半導體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表面議2025-02-27 -
30A+1us脈沖源
30A+1us脈沖源的簡述: 作用: 主要應用于VCSEL激光器、大功率LED的測試 功能： 實現(xiàn)窄脈沖加電的LIV測試 特點： （1）超窄脈沖大電流電流加電，能夠滿足VCSEL的晶圓和芯片的測試需要； （2）支持脈沖光功率和器件脈沖電壓采樣功能。是LIV測試的系統(tǒng)解決方案； （3面議2025-02-27 -
半導體IV特性曲線分析儀
半導體IV特性曲線分析儀認準生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡?、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具，接線簡單、方便操作。 利用數(shù)字源表簡化半導體分立器件特性參數(shù)測試面議2025-02-27 -
半導體分立器件測試設備高電壓+大電流
實施半導體分立器件特性參數(shù)分析的最佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載，其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。 利用數(shù)面議2025-02-27 -
場效應MOS管特性曲線測試國產(chǎn)源表
使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺式脈沖源表對MOSFET常見參數(shù)進行測試。 輸入/輸出特性測試 針對1A以下的MOSFET器件，推薦2臺S系 列源表搭建測試方案，Z大電壓300V，Z大電流1A, 最小電流100pA，可以滿足小功率MOSFET測試的需求。 針對Z大電流為面議2025-02-27 -
三極管反向擊穿電壓測試SMU數(shù)字源表
三極管是半導體基本元器件之一，設計電路中常常會關注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β、極間反向電流ICBO、ICEO、集電極最大允許電流ICM、反向擊穿電壓VEBO、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)。 根據(jù)材料以及用途不同，三極管器件的電壓、電流技術參數(shù)也不同，針對1A以面議2025-02-27 -
二極管反向漏電流測試國產(chǎn)源表
普賽斯二極管反向漏電流測試國產(chǎn)源表 二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件，產(chǎn)品結構一般為單個PN結結構，只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電 二極管等，具有安全可靠等面議2025-02-27 -
憶阻器IV測試脈沖恒壓源CP系列
CP系列脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設備支持窄脈沖電壓輸出，并同步完成輸出電壓及電流測量；支持多設備觸發(fā)實現(xiàn)器件的脈沖IV掃描等；支持輸出脈沖時序（如延遲、脈寬、周期等參數(shù)變量等）調(diào)節(jié)，可輸出復雜曲線。主要特點有：面議2025-02-27 -
PMST-3500V大功率激光器LIV測試及老化系統(tǒng)
普賽斯PMST-3500V大功率激光器LIV測試及老化系統(tǒng)是專為解決千瓦級大功率半導體激光器芯片及泵浦激光器模塊需要使用窄脈沖大電流測試和老化、芯片發(fā)熱嚴重等問題而創(chuàng)新開發(fā)推出的一套通用性好、大功率、循環(huán)水冷的老化測試系統(tǒng)。產(chǎn)品具有大電流窄脈沖恒流特性好、電流穩(wěn)定、面議2025-02-27 -
CTMS-1000A霍爾電流傳感器測直流電流平臺
CTMS-1000A霍爾電流傳感器測直流電流平臺集多種測量和分析功能一體，可精準測量各種電流傳感器（霍爾電流傳感器、羅氏線圈、皮爾森線圈等）的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，單臺大電流源電流可高達1000A。該系統(tǒng)可測量不同電流傳感器的靜態(tài)與動態(tài)參數(shù)，具有大電流特性、極快的達到50A/us面議2025-02-27
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