隴西儀器/儀表信息
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廣州干熱滅菌生物指示劑,干熱滅菌指示劑
干熱滅菌生物指示劑:用于測(cè)定干熱滅菌器對(duì)細(xì)菌芽孢的殺滅能力,以驗(yàn)證其滅菌性能是否符合原設(shè)計(jì)規(guī)定及干熱滅菌效果的生物監(jiān)測(cè)。保存 請(qǐng)?jiān)跍囟?2-25℃、相對(duì)濕度20-80%RH條件下避光保存。生物指示劑應(yīng)避免靠近滅菌器和化學(xué)消毒劑。干熱滅菌柜是利用火焰或干熱空氣進(jìn)行滅菌的162022-04-12 -
湖北愛斯汽化過氧化氫滅菌生物指示劑H3726T
用途∶醫(yī)院、制藥廠封灌室/廠房、食品加工廠房、實(shí)驗(yàn)室、分離器等空間的滅菌或殺菌 培養(yǎng)基成分 培養(yǎng)基:大豆蛋白胨培養(yǎng)基 指示藥:溴甲酚紫指示劑指示劑化學(xué)標(biāo)簽可以貼于用于記錄本,方便作為滅菌記錄長(zhǎng)期保存; 經(jīng)24小時(shí)、48小時(shí)或4天培養(yǎng),可確認(rèn)滅菌效果; 依據(jù)中國(guó)藥典、202022-04-06 -
石家莊3M壓力蒸汽滅菌生物指培養(yǎng)示劑1262S
如何使用: 1. 將壓力蒸汽滅菌生物培養(yǎng)指示劑放進(jìn)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試包里; 2. 按照國(guó)家規(guī)定, 將生物測(cè)試包放于滅菌鍋內(nèi)的角落等不容易被滅菌的地方; 3. 滅菌完成后, 取出測(cè)試包中的指示劑; 4. 擠破指示劑中的安瓿瓶, 另取一支指示劑作為對(duì)照管一起放于56℃培養(yǎng)鍋內(nèi)進(jìn)行培養(yǎng);培養(yǎng)48212022-04-03
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源表搭建整流二極管的性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)
源表搭建整流二極管的性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;普賽斯實(shí)驗(yàn)平臺(tái)以工程教育專業(yè)認(rèn)證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè),以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài),培養(yǎng)集成電路硬件測(cè)試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)業(yè)環(huán)隴西面議2026-02-25 -
替代2651國(guó)產(chǎn)大電流數(shù)字源表
HCP系列大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,最大脈沖電流達(dá)100A,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。大電流源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體隴西面議2026-02-25 -
8通道數(shù)字源表測(cè)試壓敏電阻
8通道數(shù)字源表測(cè)試壓敏電阻認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六 氣敏電阻測(cè)試 阻值測(cè)試本質(zhì)上是FIMV(加電流測(cè)電壓)或FVMI(加電壓測(cè)電流),獲取IV曲線后計(jì)算阻值。 普賽斯源表具有豐富的電壓電流量程: 電壓范圍0.3mV~300V,電流范圍100隴西面議2026-02-25 -
高精度臺(tái)式數(shù)字源表S系列國(guó)產(chǎn)電流源
高精度臺(tái)式數(shù)字源表S系列國(guó)產(chǎn)電流源優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源,并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作??梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮。A(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍,全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量,更隴西面議2026-02-25 -
功率半導(dǎo)體測(cè)試電源高壓程控電源
功率半導(dǎo)體測(cè)試電源高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高(3500V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3500V,輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢18140663476最大輸出功率:350W,3500隴西面議2026-02-25 -
直流特性IV曲線SMU數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出,全系列產(chǎn)品豐富,新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%隴西面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì): IV、CV一鍵測(cè);一體機(jī),支持遠(yuǎn)程指令控制;支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢18140663476 SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高隴西面議2026-02-25 -
高功率源表30A直流100A脈沖
HCP系列大電流臺(tái)式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力,最大脈沖輸出電流100A,最大輸出電壓100V,支持四象限工作,輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%,可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六 應(yīng)用 ?納米材料隴西面議2026-02-25 -
功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適隴西面議2026-02-25 -
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)特色: 1、外觀簡(jiǎn)潔緊湊集成度高 2、通用開放型儀表平臺(tái) 以數(shù)字源表(SMU)為核心,覆蓋所有材料器件的直流特性測(cè)試;示波器、信號(hào)源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)。 3、模塊化設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)夾具盒 4、引入集隴西面議2026-02-25 -
數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)
半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析,或 I-V 曲線,來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多,引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相隴西面議2026-02-25 -
高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性
憶阻器基礎(chǔ)性能研究測(cè)試 憶阻器件的評(píng)估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測(cè)試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對(duì)憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)量。 直流l-V特性測(cè)試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵(lì)會(huì)隴西面議2026-02-25 -
大電流脈沖源表
P系列功率mos管I-V電性能測(cè)試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表隴西面議2026-02-25 -
MEMS氣體傳感器測(cè)試系統(tǒng)
通常,氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過程既復(fù)雜又耗時(shí),還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間。而且,使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作,有更隴西面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀
SPA-6100半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料隴西面議2026-02-25 -
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點(diǎn): 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力; 測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度; 內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序,直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便; 自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù); 在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無需重隴西面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀
半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?;詳詢一八一四零六六三四七六; S型數(shù)字源表應(yīng)用隴西面議2026-02-25
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