TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A7334J000

TDKEPCOS薄膜電容, MKP高脈沖繞線薄膜電容器B32656A7334J000

聚酯薄膜與聚丙烯薄膜電容的區(qū)別
聚酯薄膜電容又稱為CL電容，聚丙烯薄膜電容又稱為CBB電容，兩種單從型號上是很
好區(qū)分的。一般聚酯膜電容都是以CL開頭，而聚丙烯膜電容以CBB開頭。兩者都具有自
愈性與無感特性。

兩者的主要區(qū)別如下：

1. 在高頻條件下，CBB電容的穩(wěn)定性高于CL電容。

2. 在相同的溫變條件下，CBB電容容量隨著溫度變化的范圍比CL電容小。

3. CBB電容的損耗比CL電容小，在頻率為1kHz的條件下，一般CBB電容損耗角正切值
tanδ為小于0.001，而CL電容的tanδ為小于0.01。

4. CBB電容與CL電容的絕緣性能都特別好，優(yōu)于其他電容器，而CBB電容的絕緣性能則
比CL電容更佳，比如在容量小于0.33uF時，CBB電容的絕緣電阻大于25000MΩ，而CL
電容則為大于7500 MΩ。

5. 與CBB電容相比，CL電容唯一的優(yōu)勢在于體積小，相同電壓，相同容量的情況下，
CL電容的體積可以做得比CBB電容小，這對于一些安裝有空間限制的客戶還是很受用
的。

由于CBB電容性能更佳，但是價格更貴，因此目前市場上有許多用CL電容冒充CBB
電容，光用目測很難發(fā)現(xiàn)二者的不同，推薦以下兩種方法供大家參考：

1. 測損耗值，若是小于0.001則為CBB電容，反之則為CL電容。

2. 用手掌型數(shù)字電容表和電吹風來進行試驗，先把電容器放在電容表上測出冷態(tài)電容值，
然后用吹風加熱電容器，再測電容值，若電容值變化過大，則為CL電容，反之為CBB電容。

薄膜電容器在不同場合下的作用

薄膜電容器是以金屬箔當電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的電容器，它主要被廣泛的使用在模擬信號的交連以及其他電源處。
薄膜電容器的工作原理：
通過在電極上儲存電荷儲存電能，通常與電感器共同使用形成LC振蕩電路，在電場中會受力而移動，當導(dǎo)體之間有了介質(zhì)，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導(dǎo)體上，造成電荷的累積儲存。

薄膜電容器的優(yōu)點：
在電力電子線路中，薄膜電容主要作用是起著電力電流的一個緩沖以及箝位、諧振旁路以及抑制電源電磁的干擾
把薄膜電容用在旁路時，它的作用是降低直流母線的阻抗以及吸收來自負載的紋波電流，從而起到有效地抑制直流母線電壓在因負載突變而出現(xiàn)的波動
當該裝置用于諧振式變換器時，它能與電感一起實現(xiàn)諧振的功能
它所適用的溫度的范圍是比較寬的，受溫度的限制比較小
它的使用壽命超長，只要沒有損壞，幾乎是不會有使用壽命的限制，可以長期一直的使用
它屬于金屬化電極，具有自愈功能，在有小的損壞時，能夠自動修復(fù)
在工作時，可以承受很高的電壓；在使用時，使用頻率特性比較良好

導(dǎo)致薄膜電容器失效的原因：
電容耐壓不夠?qū)е码妷簱舸┍∧ぃ瑢?dǎo)致電容器失效
使用電流超過電容所能承受的大電流，導(dǎo)致電容器失效
電容器里面有空氣，導(dǎo)致失效
金屬化膜薄氧化，導(dǎo)致電容器失效

薄膜電容器應(yīng)用時的注意事項
首先要注意仔細觀察工作電壓的狀態(tài)，在工作電壓非常不穩(wěn)定時，就先不要使用薄膜電容器，之后再看電壓的變化速度，速度比較穩(wěn)定是即可使用，要滿足流過電容器的有效值電流和峰值電流。

TDK成功開發(fā)高Q特性的薄膜電容器

TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時 TDK株式會社集團下屬子公司TDK-EPC成功開發(fā)出使用于智能手機、手機、無線局域網(wǎng)等的功率放大器電路以及高頻匹配電路的最小0402尺寸的薄膜電容器(產(chǎn)品名稱：Z-match TFSQ0402系列)，并將從2011年8月開始量產(chǎn)。

該產(chǎn)品能應(yīng)用于手機、手機、無線局域網(wǎng)等PA電路以及其他RF匹配電路和高頻模塊產(chǎn)品。TDK電容產(chǎn)業(yè)將多年來在HDD磁頭制造方面所積累的“薄膜技術(shù)”用于高頻元件的工法中，同時實現(xiàn)了面向智能手機等高性能移動設(shè)備和高頻模塊產(chǎn)品的高特性與小型超薄化。尤其值得一提的是，憑借薄膜工法實現(xiàn)了優(yōu)良的窄公差特性(W公差：±0.05pF)，并通過薄膜材料和最佳形狀設(shè)計，與以往產(chǎn)品相比達到了150%的高Q特性(2.2pF、2GHz)。此外，SRF特性也高達6.8GHz(2.2pF)。通過這些特性，該本產(chǎn)品可在阻抗匹配電路中發(fā)揮優(yōu)良的高頻特性，因此命名為“Z-match”。