延平儀器/儀表信息
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武漢3M環(huán)氧乙烷滅菌生物指示劑1264S價格
3M Attest 126S生物指示劑（綠帽）用來監(jiān)測環(huán)氧乙烷滅菌過程。可通過視覺上的顏色變化（培養(yǎng)基變成黃色）來檢測枯草桿菌芽孢是否存在。滅菌后的兩個選擇： A. 根據(jù)制造商說明書打開滅菌器柜門；轉(zhuǎn)移負載到曝氣裝置并取回測試包。（如果使用有曝氣能力的滅菌器，按照制造商指212022-04-05
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源表搭建整流二極管的性能測試實驗
源表搭建整流二極管的性能測試實驗認準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯實驗平臺以工程教育專業(yè)認證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實的產(chǎn)業(yè)環(huán)延平面議2026-02-25 -
替代2651國產(chǎn)大電流數(shù)字源表
HCP系列大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，最大脈沖電流達100A，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。大電流源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體延平面議2026-02-25 -
8通道數(shù)字源表測試壓敏電阻
8通道數(shù)字源表測試壓敏電阻認準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六 氣敏電阻測試 阻值測試本質(zhì)上是FIMV（加電流測電壓）或FVMI（加電壓測電流），獲取IV曲線后計算阻值。 普賽斯源表具有豐富的電壓電流量程： 電壓范圍0.3mV~300V，電流范圍100延平面議2026-02-25 -
高精度臺式數(shù)字源表S系列國產(chǎn)電流源
高精度臺式數(shù)字源表S系列國產(chǎn)電流源優(yōu)勢 ? 性能強大-作為電壓源和或電流源，并同步測量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍，全量程測量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測量，更延平面議2026-02-25 -
功率半導(dǎo)體測試電源高壓程控電源
功率半導(dǎo)體測試電源高壓程控電源具有輸出及測量電壓高（3500V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3500V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。詳詢18140663476最大輸出功率：350W，3500延平面議2026-02-25 -
直流特性IV曲線SMU數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測量、3500V高壓下nA級測量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%延平面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測試設(shè)備iv+cv測試機
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測試設(shè)備iv+cv測試機優(yōu)勢： IV、CV一鍵測；一體機，支持遠程指令控制；支持三同軸接探針臺 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測試;詳詢18140663476 SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)，具有高延平面議2026-02-25 -
高功率源表30A直流100A脈沖
HCP系列大電流臺式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測量精度均可達0.1%，可廣泛用于功率MOS測試、肖特二極管測試、整流橋堆測試及太陽能電池模組測試等。詳詢一八一四零六六三四七六 應(yīng)用 ?納米材料延平面議2026-02-25 -
功率mos管電性能分析IV測試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適延平面議2026-02-25 -
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實驗平臺
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實驗平臺特色： 1、外觀簡潔緊湊集成度高 2、通用開放型儀表平臺 以數(shù)字源表(SMU)為核心，覆蓋所有材料器件的直流特性測試；示波器、信號源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動態(tài)參數(shù)測試實驗。 3、模塊化設(shè)計實驗夾具盒 4、引入集延平面議2026-02-25 -
數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)
半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應(yīng)管等。 直流 I-V 測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V 曲線，來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測參數(shù)各不相延平面議2026-02-25 -
高精度源表IV測試憶阻器直流特性
憶阻器基礎(chǔ)性能研究測試 憶阻器件的評估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進行測量。 直流l-V特性測試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵會延平面議2026-02-25 -
大電流脈沖源表
P系列功率mos管I-V電性能測試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表延平面議2026-02-25 -
MEMS氣體傳感器測試系統(tǒng)
通常，氣體傳感器 I-V 特性測試需要幾臺儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析，過程既復(fù)雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。而且，使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更延平面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀
SPA-6100半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)CV+IV測試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試，旨在幫助加快前沿材料延平面議2026-02-25 -
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力； 測量精度高,全量程下可達0.03%精度； 內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測試程序，直接調(diào)用測試簡便； 自動實時參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)； 在CV和IV測量之間快速切換而無需重延平面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體特性測試儀IV曲線掃描儀
半導(dǎo)體特性測試儀IV曲線掃描儀認準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測試方案?；詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用延平面議2026-02-25 -
LIV光電特性測試脈沖恒流源
LIV光電特性測試脈沖恒流源認準(zhǔn)普賽斯儀表，廠家直銷，服務(wù)完善，詳詢一八一四零六六三四七六；PL系列脈沖電流源是針對大功率激光器LIV測試而研制的，觸摸顯示屏全圖形化操作，高靈敏度寬帶光功率檢測，內(nèi)置LIV測試軟件加速用戶完成測試，具有輸出電流脈沖窄、輸出脈沖電流延平面議2026-02-25 -
大功率igbt模塊測試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀
普賽斯大功率igbt模塊測試設(shè)備功率器件靜態(tài)參數(shù)測試儀，集多種測量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率延平面議2026-02-25
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