文章摘要: 金剛石設(shè)備的水冷系統(tǒng)由于金剛石的生長需要特定的溫度范圍,因此在金剛石設(shè)備中,水冷系統(tǒng)是至關(guān)重要的一個模塊,而水冷系統(tǒng)中關(guān)鍵的是基片臺水冷系統(tǒng)。在金剛石設(shè)備中,等離子體是位于基片臺上方并為金剛石籽晶生長提供能量,由于金剛石生長需要維持在一個特
金剛石設(shè)備的水冷系統(tǒng)
由于金剛石的生長需要特定的溫度范圍,因此在金剛石設(shè)備中,水冷系統(tǒng)是至關(guān)重要的一個模塊,而水冷系統(tǒng)中關(guān)鍵的是基片臺水冷系統(tǒng)。在金剛石設(shè)備中,等離子體是位于基片臺上方并為金剛石籽晶生長提供能量,由于金剛石生長需要維持在一個特定的溫度范圍,溫度過高或過低就會形成石墨相及多晶金剛石等雜質(zhì),這樣不利于高質(zhì)量金剛石的生長。

等離子體處于基片臺上方,由于等離子體的能量中間強(qiáng),邊緣弱的特色造成了基片臺中央?yún)^(qū)域的能量要大于邊緣區(qū)域的能量,在基片上就會表現(xiàn)為中央?yún)^(qū)域溫度高邊緣區(qū)域溫度低的現(xiàn)象,這種現(xiàn)象會隨著微波功率增加、裝置長時間運(yùn)作時越明顯,所沉積金剛石薄膜的均勻性就得不到保證,因此金剛石設(shè)備的水冷系統(tǒng)至關(guān)重要?;_水冷系統(tǒng)中,首先進(jìn)入沉積臺內(nèi)的水流流向基片溫度高的中心區(qū)域,對基片臺上的籽晶進(jìn)行降溫,然后流向周邊區(qū)域,使基片中央位置的冷卻速度要比邊緣區(qū)域冷卻速度快,確?;_上的所有金剛石的生長維持在一定的溫度范圍。通過循環(huán)的水總是先流向溫度較高的中心區(qū)域,即使金剛石沉積設(shè)備在長時間的運(yùn)作環(huán)境下,基片中心區(qū)域與邊緣區(qū)域的溫差也不會相差太大,使基片臺的溫度分布更均勻,即保證了基片臺上的金剛石薄膜生長長期處于合適范圍之內(nèi)。
金剛石設(shè)備的水冷系統(tǒng)
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