PMOS3401管的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

PMOS3401管分為結(jié)型和絕緣柵型。PMOS3401管（JFET）因具有兩個(gè)PN結(jié)而得名，PMOS3401管因柵極和其他電極之間的完全絕緣而得名。目前，PMOS3401管是應(yīng)用最廣泛的絕緣柵PMOS3401管（即金屬氧化物半導(dǎo)體PMOS3401管MOSFET）。此外,像這種管由于本身應(yīng)用領(lǐng)域比較廣，所以一般在市面上的銷售數(shù)量會(huì)比較大。那么PMOS3401管的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些呢？

根據(jù)溝道半導(dǎo)體數(shù)據(jù)的不同，結(jié)型和絕緣柵型分別分為溝道和p溝道。若按導(dǎo)電模式劃分，F(xiàn)ET可分為耗盡型和增強(qiáng)型。結(jié)型PMOS3401管為耗能型，絕緣柵型PMOS3401管可以分為耗能型和增強(qiáng)型這兩種。PMOS3401管按照不同的功能可分為n溝道耗盡型和增強(qiáng)型；P-通道耗盡型和增強(qiáng)型。

FET的特色是南部電網(wǎng)電壓UG；控制其漏電流ID。與普通雙極晶體管相比，F(xiàn)ET具有高輸入阻抗、低噪音、大動(dòng)態(tài)范圍、低功耗和易于集成的特色。

FET的工作原理如圖4-24所示（以結(jié)型n溝道管為例）。由于連接到柵極g的負(fù)偏壓（-UG），在g附近形成耗盡層。

當(dāng)負(fù)偏壓的絕對(duì)值（-UG）增加時(shí)，耗盡層增加，溝道減小，漏電流ID減小。負(fù)偏壓絕對(duì)值（UG）減小時(shí)，耗盡層減小，溝道增大，漏電流ID增大?？梢钥闯?，漏極電流ID是由柵極電壓控制的，因此FET是一種電壓控制器件，即通過改變輸入電壓來控制輸出電流的變化，從而達(dá)到放大的目的。

和雙極晶體管一樣，當(dāng)FET用于放大和其他電路時(shí)，其柵極也應(yīng)偏置。結(jié)型FET的柵極應(yīng)施加反向偏置電壓，即n溝道管應(yīng)加負(fù)柵極電壓，p溝道管應(yīng)加正柵極爪。應(yīng)向加強(qiáng)絕緣柵極FET施加正柵極電壓。耗盡型絕緣柵FET的柵電壓可為正、負(fù)和“0”，如表4-2所示。增加偏置的方法有恒偏置法、自補(bǔ)償偏置法、直接耦合法等。

FET的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但在一般應(yīng)用中只要注意以下主要參數(shù)：飽和漏源電流IDSS、夾斷電壓上升、，（結(jié)型晶體管和耗盡型絕緣柵管，或on電壓UT（加強(qiáng)絕緣柵管），跨導(dǎo)GM，漏源擊穿電壓Budd，最大功耗PDSM和最大漏源電流idsm。

同時(shí)，PMOS3401管在應(yīng)用過程當(dāng)中還需要考慮到節(jié)能以及成本等方面的因素，建議公司在應(yīng)用過程當(dāng)中可以做好監(jiān)管工作，定期要對(duì)應(yīng)用數(shù)據(jù)進(jìn)行系統(tǒng)測(cè)量。