全韶關(guān)儀器/儀表信息
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河南50米跑步測(cè)試儀
短跑測(cè)試儀自動(dòng)測(cè)試50米100米200米400米跑時(shí)間，采用紅外測(cè)試桿，自動(dòng)測(cè)試短跑時(shí)間，多跑道同時(shí)測(cè)試，主機(jī)采用工控級(jí)別CONTEX-M3CPU，直接對(duì)底層硬件控制,完全知識(shí)產(chǎn)權(quán)獨(dú)立開(kāi)發(fā)。封閉32位私有加密操作系統(tǒng)，保證系統(tǒng)的穩(wěn)定安全，避免遭受公網(wǎng)病毒干擾。閉源系統(tǒng)，秒開(kāi)機(jī)，非150002025-06-30 -
氧氣探頭測(cè)傳感器
傳感器主要用于壓電材料中，包括石英、鉀、鈉、鉀、磷酸鹽、磷酸鹽和磷酸鹽。石英(石英)是一種天然晶體，在晶體中發(fā)現(xiàn)壓電效應(yīng)，在一定溫度圍內(nèi)，壓電性能一直存在溫度超過(guò)這個(gè)圍時(shí)，壓電性能完全消失。隨著應(yīng)力場(chǎng)變化的小，因此逐漸被其他石英壓電晶體所替。鉀鈉鉀鈉具有很面議2024-04-13 -
南昌愛(ài)斯汽化過(guò)氧化氫滅菌生物指示劑H3726T
用途∶醫(yī)院、制藥廠封灌室/廠房、食品加工廠房、實(shí)驗(yàn)室、分離器等空間的滅菌或殺菌 培養(yǎng)基成分 培養(yǎng)基：大豆蛋白胨培養(yǎng)基 指示藥：溴甲酚紫指示劑使用范圍 用于汽化過(guò)氧化氫空間滅菌效果監(jiān)測(cè)。 保管上的注意 請(qǐng)?jiān)?～25℃、20%～80%RH避光保管。（培養(yǎng)基請(qǐng)?jiān)?～10℃保管。）H372202022-04-02
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源表搭建整流二極管的性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)
源表搭建整流二極管的性能測(cè)試實(shí)驗(yàn)認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；普賽斯實(shí)驗(yàn)平臺(tái)以工程教育專業(yè)認(rèn)證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測(cè)試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)業(yè)環(huán)韶關(guān)面議2026-02-25 -
替代2651國(guó)產(chǎn)大電流數(shù)字源表
HCP系列大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，最大脈沖電流達(dá)100A，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。大電流源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體韶關(guān)面議2026-02-25 -
8通道數(shù)字源表測(cè)試壓敏電阻
8通道數(shù)字源表測(cè)試壓敏電阻認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六 氣敏電阻測(cè)試 阻值測(cè)試本質(zhì)上是FIMV（加電流測(cè)電壓）或FVMI（加電壓測(cè)電流），獲取IV曲線后計(jì)算阻值。 普賽斯源表具有豐富的電壓電流量程： 電壓范圍0.3mV~300V，電流范圍100韶關(guān)面議2026-02-25 -
高精度臺(tái)式數(shù)字源表S系列國(guó)產(chǎn)電流源
高精度臺(tái)式數(shù)字源表S系列國(guó)產(chǎn)電流源優(yōu)勢(shì) ? 性能強(qiáng)大-作為電壓源和或電流源，并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作?？梢韵薅妷夯螂娏鬏敵龃笮?，預(yù)防器件損壞。覆蓋0-3A的電流范圍0-300V的電壓范圍，全量程測(cè)量精度0.03%。 ? 靈活多樣-支持兩線制和四線制測(cè)量，更韶關(guān)面議2026-02-25 -
功率半導(dǎo)體測(cè)試電源高壓程控電源
功率半導(dǎo)體測(cè)試電源高壓程控電源具有輸出及測(cè)量電壓高（3500V）、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)（1nA）的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測(cè)量電壓0~3500V，輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。詳詢18140663476最大輸出功率：350W，3500韶關(guān)面議2026-02-25 -
直流特性IV曲線SMU數(shù)字源表
普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體，支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下nA級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸出，全系列產(chǎn)品豐富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%韶關(guān)面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)
半導(dǎo)體電學(xué)參數(shù)測(cè)試設(shè)備iv+cv測(cè)試機(jī)優(yōu)勢(shì)： IV、CV一鍵測(cè)；一體機(jī)，支持遠(yuǎn)程指令控制；支持三同軸接探針臺(tái) 能夠覆蓋從材料、晶圓、器件到模塊的測(cè)試;詳詢18140663476 SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高韶關(guān)面議2026-02-25 -
高功率源表30A直流100A脈沖
HCP系列大電流臺(tái)式脈沖源表具備直流和脈沖輸出能力，最大脈沖輸出電流100A，最大輸出電壓100V，支持四象限工作，輸出及測(cè)量精度均可達(dá)0.1%，可廣泛用于功率MOS測(cè)試、肖特二極管測(cè)試、整流橋堆測(cè)試及太陽(yáng)能電池模組測(cè)試等。詳詢一八一四零六六三四七六 應(yīng)用 ?納米材料韶關(guān)面議2026-02-25 -
功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表
P系列功率mos管電性能分析IV測(cè)試大電流源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適韶關(guān)面議2026-02-25 -
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
基于數(shù)字源表的高校微電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)特色： 1、外觀簡(jiǎn)潔緊湊集成度高 2、通用開(kāi)放型儀表平臺(tái) 以數(shù)字源表(SMU)為核心，覆蓋所有材料器件的直流特性測(cè)試；示波器、信號(hào)源、數(shù)字電橋等通用儀表完成動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試實(shí)驗(yàn)。 3、模塊化設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)夾具盒 4、引入集韶關(guān)面議2026-02-25 -
數(shù)字源表助力工程師提取半導(dǎo)體器件IV電性能參數(shù)
半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ)，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等。 直流 I-V 測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V 曲線，來(lái)決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測(cè)參數(shù)各不相韶關(guān)面議2026-02-25 -
高精度源表IV測(cè)試憶阻器直流特性
憶阻器基礎(chǔ)性能研究測(cè)試 憶阻器件的評(píng)估,一般包括直流特性、脈沖特性與交流特性測(cè)試,分析器件在相應(yīng)的直流、脈沖與交流作用下的憶阻特性,以及針對(duì)憶阻器件的保持力、穩(wěn)定性等非電學(xué)特性進(jìn)行測(cè)量。 直流l-V特性測(cè)試 不同極性、不同大小的電壓(電流)激勵(lì)會(huì)韶關(guān)面議2026-02-25 -
大電流脈沖源表
P系列功率mos管I-V電性能測(cè)試大電流脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達(dá)10A，Z大輸出電壓達(dá)300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表韶關(guān)面議2026-02-25 -
MEMS氣體傳感器測(cè)試系統(tǒng)
通常，氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而，由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。而且，使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更韶關(guān)面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀
SPA-6100半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)CV+IV測(cè)試儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料韶關(guān)面議2026-02-25 -
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
寬量程30μV-1200V,1pA-100A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點(diǎn)： 30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力； 測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度； 內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便； 自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)； 在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重韶關(guān)面議2026-02-25 -
半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀
半導(dǎo)體特性測(cè)試儀IV曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯儀表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度數(shù)字源表，相比于傳統(tǒng)S系列源表，準(zhǔn)確度提升至±0.03%，直流電流升級(jí)至3A，可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方案?；詳詢一八一四零六六三四七六； S型數(shù)字源表應(yīng)用韶關(guān)面議2026-02-25
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