EUPEC可控硅T2480N26TOF斬波器安全可靠

封裝外形

平板形

極數(shù)

二極

EUPEC可控硅T2480N26TOF斬波器安全可靠

可控硅產(chǎn)品性能特點：
1、在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài)；
2、可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備，如果超過此功率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用；
3、可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等；
4、可控硅從外形類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等；
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值；
4、 觸發(fā)電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。

可控硅的用途：
1、小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A；
2、大；率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等；
3、大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。

鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。
陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）；
控制極與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。
若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等?？煽毓韬推渌雽w器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn)，使半導體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進入了強電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。

可控硅使用注意事項：
1、外加電壓極性要正確，即陽極到陰極之間加正向電壓，控制極到陰極之間也加正向電壓；
2、為了保證可控硅安全工作，應選擇額定耐壓為實際工作電壓的2~3倍，正向平均電流為實際工作電流的1.5~@倍的管子；
3、為了保證可控硅可靠地導通．應盡量用大的觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流，因眺電壓、電流較大可以相應降低可控硅的轉(zhuǎn)折導通電壓。比如額定觸發(fā)電壓為2.5V的，可使用4.5V以上的電壓，但為防止PN結(jié)燒毀．—般以不超過10V為好；
4、焊接或緊固可控硅時，必須保證電氣接觸良好，否則因側(cè)啪接觸電阻就會引起很大的功率消耗；
5、可控硅的保護方法：一是散熱，可控硅是大功率器件，散熱是一個突出的問題，規(guī)定20A以下的可控硅靠自身散熱器自然散熱，20A以上的大電流可控硅則必須強迫冷卻，其方法有風冷和水冷散熱。二是過流保護，雖然在選擇可控硅時已留有余量，但也可能出現(xiàn)超過額定值的情況，為此可在可控硅陽極或陰極串聯(lián)一個熔斷器，應選快速熔斷器，如RSL、RSO、RSS等型號；
6、可控硅損壞后的修理：如果是可控硅性能變壞引起誤導通，造成電器工作時好時壞，只要確認其它元件無問題，則可暫時拆去可控硅不用，待買到同型號可控硅時再捍上使用；根據(jù)可控硅的結(jié)構(gòu)特點和原理，可用合適參數(shù)的三極管組成復合管代用；可以選擇同型號或相同參數(shù)(正反向重復峰值電壓、額定正向平均電壓、控制極觸發(fā)電壓和電流)的可控硅代換，各種型號的進口可控硅均可用國產(chǎn)可控硅代換，代換時要注意外形尺寸相近，以便安裝。

可控硅又叫晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等。今天大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極：層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。