5SHY3545L0009可控硅模塊,廣泛應(yīng)用

5SHY3545L0009可控硅模塊,廣泛應(yīng)用

IGCT觸發(fā)功率小，可以把觸發(fā)及狀態(tài)監(jiān)視電路和IGCT管芯做成一個(gè)整體，通過兩根光纖輸入觸發(fā)信號(hào)、輸出工作狀態(tài)信號(hào)。IGCT將 GTO技術(shù)與現(xiàn)代功率晶體管IGBT的優(yōu)點(diǎn)集于一身，利用大功率關(guān)斷器件可簡單可靠地串聯(lián)這一關(guān)鍵技術(shù)，使得IGCT在中高壓領(lǐng)域以及功率在 0.5MVA～100MVA的大功率應(yīng)用領(lǐng)域尚無真正的對手。

下表是IGBT,GTO和IGCT三種電力器件的性能比較:

IGCT損耗低、開關(guān)快速等這些優(yōu)點(diǎn)保證了它能可靠、高效率地用于300 kVA～10MVA變流器，而不需要串聯(lián)或并聯(lián)。在串聯(lián)時(shí)，逆變器功率可擴(kuò)展到100MVA。雖然高功率的IGBT模塊具有一些優(yōu)良的特性，如能實(shí)現(xiàn)di/dt和dv/dt 的有源控制、有源箝位、易于實(shí)現(xiàn)短路電流保護(hù)和有源保護(hù)等。但因存在著導(dǎo)通高損耗、損壞后造成開路以及無長期可靠運(yùn)行數(shù)據(jù)等缺點(diǎn)，限制了高功率IGBT模塊在高功率低頻變流器中的實(shí)際應(yīng)用。因此IGCT將成為高功率高電壓變頻器的首選功率器件。

一個(gè)普通而又平凡的清晨，你在舒適的空調(diào)溫度下醒來。打開冰箱，取出食物做一頓美美的早餐；解鎖充好電的手機(jī)，查看最新的資訊；來到公司后打開電腦，開啟一天的工作。電力悄無聲息地融入你的生活，伴你度過充實(shí)的一天。與此同時(shí)，來自火電、水電、核電以及風(fēng)電、光伏發(fā)電的電能正被源源不斷地輸送到城市和鄉(xiāng)村，供給傳統(tǒng)的能源、機(jī)械、交通、制造產(chǎn)業(yè)，以及新興的通信、航天、醫(yī)療、材料等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)使用。

但是，來自不同源頭電能的電壓、頻率各不相同，它們就像形態(tài)、大小各異的食物，其中高達(dá)75%以上的部分都必須由“廚師”進(jìn)行修整和加工，經(jīng)過“烹飪”之后才能由“粗電”變成“精電”，最終供擁有不同“口味”的設(shè)備使用，滿足復(fù)雜的用電需求。這位能夠?qū)崿F(xiàn)電能變換和控制的核心“大廚”便是功率半導(dǎo)體器件。

功率半導(dǎo)體器件也稱電力電子器件，結(jié)合不同電路拓?fù)淇梢孕纬筛黝愲娏﹄娮友b置，實(shí)現(xiàn)整流、逆變、變頻、調(diào)壓等功能。隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷革新，從高壓輸電到城市用電，從工業(yè)變頻到醫(yī)療器械，從電動(dòng)汽車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)到空調(diào)、冰箱等家用電器，再到手機(jī)、筆記本等數(shù)碼產(chǎn)品，功率半導(dǎo)體器件無處不在，與我們的生活密不可分。其中，集成門極換流晶閘管（Integrated Gate Commutated Thyristor，IGCT）器件作為功率半導(dǎo)體器件家族中的年輕成員于1997年首次被提出，展現(xiàn)出了巨大的發(fā)展?jié)摿Γ蔀橹绷麟娋W(wǎng)的“芯”選擇。

回顧IGCT器件的發(fā)展史，要從晶閘管說起。晶閘管自從1957年在美國通用公司誕生以來，經(jīng)過隨后20多年的發(fā)展，已經(jīng)形成了從低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)品，早期的大功率變流器幾乎全部采用晶閘管。半個(gè)世紀(jì)之后，晶閘管憑借其無與倫比的大容量和可靠性、技術(shù)成熟性和價(jià)格優(yōu)勢，依舊在大功率變頻調(diào)速、高壓直流輸電（HVDC）、柔性交流輸電（FACTS）等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。

到了20世紀(jì)70年代后期，晶閘管的一種派生器件——門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）得到了快速發(fā)展。GTO是一種全控型器件，比傳統(tǒng)晶閘管具有更大的靈活性，被廣泛應(yīng)用于軋鋼、軌道交通等需要大容量變頻調(diào)速的場合。但是由于GTO的驅(qū)動(dòng)電路十分復(fù)雜且功耗很大，在關(guān)斷時(shí)還需要額外的吸收電路，因此隨著后來出現(xiàn)的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、IGCT等器件性能不斷提升，GTO逐漸被取代。

而相比IGBT，IGCT具有更低的通態(tài)壓降、更高的可靠性以及更低的制造成本，并且結(jié)構(gòu)緊湊、具有更高的阻斷電壓和通流的能力，有望改進(jìn)IGBT在高壓大容量應(yīng)用中的表現(xiàn)和性能。事實(shí)上，相比于交流電網(wǎng)應(yīng)用，在柔性直流電網(wǎng)中，MMC、直流變壓器以及直流斷路器等關(guān)鍵設(shè)備均具有很多新的特點(diǎn)，例如MMC的開關(guān)頻率非常低、直流變壓器具有軟開關(guān)能力、直流斷路器僅需單次操作等。這些特點(diǎn)一定程度上將弱化IGCT開關(guān)速度慢等技術(shù)弱點(diǎn)，為IGCT在柔性直流電網(wǎng)中的應(yīng)用帶來了巨大的契機(jī)。

清華大學(xué)電機(jī)系和能源互聯(lián)網(wǎng)研究院直流研究中心科研團(tuán)隊(duì)從2015年開始，結(jié)合直流電網(wǎng)關(guān)鍵裝備的特性，圍繞IGCT物理機(jī)理模型、參數(shù)優(yōu)化、性能調(diào)控及新型驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵技術(shù)展開研究，攻克了IGCT直流電網(wǎng)應(yīng)用的科學(xué)和技術(shù)難題，并與株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司組成聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，成功研制出直流電網(wǎng)用新一代4 500V/5 000A IGCT-Plus器件，并實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)直流電網(wǎng)工程應(yīng)用。

1、IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高、結(jié)構(gòu)緊湊、低導(dǎo)通損耗等特點(diǎn)，而且造成本低，成品率高，有很好的應(yīng)用前景。
2、相對于IGBT而言，IGCT投放市場的時(shí)間較晚，應(yīng)用也沒有IGBT廣，技術(shù)成熟度不如IGBT。 目前的 IGBT和IGCT開、關(guān)損耗都差不多，構(gòu)成的變頻器，效率也差別不大。 要論優(yōu)勢，主要是IGCT的耐壓目前比IGBT的耐壓高，應(yīng)用于高壓變頻器的話使得器件減少。但是目前的風(fēng)電變流器都是690V的，IGBT的耐壓也就足夠了。 IGBT和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？目前學(xué)術(shù)界正在爭論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對IGBT有什么優(yōu)勢。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。

與IGCT所對應(yīng)的是IEGT， IEGT也稱為壓裝式IGBT （PPI)。

IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應(yīng)用中被寄予厚望。 日本東芝開發(fā)的IECT利用了“電子注入增強(qiáng)效應(yīng)”，使之兼有IGBT和GTO兩者的優(yōu)點(diǎn)：低飽和壓降，寬安全工作區(qū)(吸收回路容量僅為GTO的1/10左右)，低柵極驅(qū)動(dòng)功率(比GTO低兩個(gè)數(shù)量級(jí))和較高的工作頻率。器件采用平板壓接式電極引出結(jié)構(gòu)，可靠性高，性能已經(jīng)達(dá)到4.5KV/1500A的水平。