5shy3545L0003可控硅模塊,PLC專用操作系統(tǒng)
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5shy3545L0003可控硅模塊,PLC專用操作系統(tǒng)
一個普通而又平凡的清晨，你在舒適的空調(diào)溫度下醒來。打開冰箱，取出食物做一頓美美的早餐；解鎖充好電的手機，查看最新的資訊；來到公司后打開電腦，開啟一天的工作。電力悄無聲息地融入你的生活，伴你度過充實的一天。與此同時，來自火電、水電、核電以及風電、光伏發(fā)電的電能正被源源不斷地輸送到城市和鄉(xiāng)村，供給傳統(tǒng)的能源、機械、交通、制造產(chǎn)業(yè)，以及新興的通信、航天、醫(yī)療、材料等高技術產(chǎn)業(yè)使用。
但是，來自不同源頭電能的電壓、頻率各不相同，它們就像形態(tài)、大小各異的食物，其中高達75%以上的部分都必須由“廚師”進行修整和加工，經(jīng)過“烹飪”之后才能由“粗電”變成“精電”，最終供擁有不同“口味”的設備使用，滿足復雜的用電需求。這位能夠?qū)崿F(xiàn)電能變換和控制的核心“大廚”便是功率半導體器件。
功率半導體器件也稱電力電子器件，結(jié)合不同電路拓撲可以形成各類電力電子裝置，實現(xiàn)整流、逆變、變頻、調(diào)壓等功能。隨著功率半導體技術的不斷革新，從高壓輸電到城市用電，從工業(yè)變頻到醫(yī)療器械，從電動汽車的電機驅(qū)動到空調(diào)、冰箱等家用電器，再到手機、筆記本等數(shù)碼產(chǎn)品，功率半導體器件無處不在，與我們的生活密不可分。其中，集成門極換流晶閘管（Integrated Gate Commutated Thyristor，IGCT）器件作為功率半導體器件家族中的年輕成員于1997年首次被提出，展現(xiàn)出了巨大的發(fā)展?jié)摿?，正成為直流電網(wǎng)的“芯”選擇。
1、IGCT具有電流大、阻斷電壓高、開關頻率高、可靠性高、結(jié)構緊湊、低導通損耗等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。
2、相對于IGBT而言，IGCT投放市場的時間較晚，應用也沒有IGBT廣，技術成熟度不如IGBT。 目前的 IGBT和IGCT開、關損耗都差不多，構成的變頻器，效率也差別不大。 要論優(yōu)勢，主要是IGCT的耐壓目前比IGBT的耐壓高，應用于高壓變頻器的話使得器件減少。但是目前的風電變流器都是690V的，IGBT的耐壓也就足夠了。 IGBT和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？目前學術界正在爭論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對IGBT有什么優(yōu)勢。但也有可能隨著技術的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對應的是IEGT， IEGT也稱為壓裝式IGBT （PPI)。
IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達4KV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強注入的結(jié)構實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點，以及采用溝槽結(jié)構和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進一步擴大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產(chǎn)品，在大、中容量變換器應用中被寄予厚望。 日本東芝開發(fā)的IECT利用了“電子注入增強效應”，使之兼有IGBT和GTO兩者的優(yōu)點：低飽和壓降，寬安全工作區(qū)(吸收回路容量僅為GTO的1/10左右)，低柵極驅(qū)動功率(比GTO低兩個數(shù)量級)和較高的工作頻率。器件采用平板壓接式電極引出結(jié)構，可靠性高，性能已經(jīng)達到4.5KV/1500A的水平。
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